天眼查顯示，湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司“碳化硅功率器件的制備方法及其碳化硅功率器件”專利公布，申請(qǐng)公布日為2024年10月18日，申請(qǐng)公布號(hào)為CN118800798A。

本申請(qǐng)?zhí)峁┑奶蓟韫β势骷闹苽浞椒捌涮蓟韫β势骷校?，在半?dǎo)體元胞的溝道區(qū)上形成層疊設(shè)置的張應(yīng)力材料層和壓應(yīng)力材料層，其中，張應(yīng)力材料層位于壓應(yīng)力材料層與半導(dǎo)體外延片之間；且張應(yīng)力材料層的應(yīng)力值大于壓應(yīng)力材料層的應(yīng)力值；對(duì)形成有張應(yīng)力材料層和壓應(yīng)力材料層的半導(dǎo)體外延片進(jìn)行高溫快速退火處理。具體的，通過(guò)在半導(dǎo)體元胞的溝道區(qū)上形成層疊設(shè)置的張應(yīng)力材料層和壓應(yīng)力材料層，且張應(yīng)力材料層的應(yīng)力值大于壓應(yīng)力材料層的應(yīng)力值，從而在高溫快速退火處理后，張應(yīng)力材料層與壓應(yīng)力材料層之間產(chǎn)生的凈剩張應(yīng)力會(huì)傳遞至溝道內(nèi)，從而改善溝道遷移率，降低比導(dǎo)通電阻。