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能訊半導體攜手蘇州實驗室、蘇州納米所提出新型氮化物2DEG低場遷移率解析物理模型

標準 | 《氮化鎵高電子遷移率晶體管閾值電壓測試　脈沖電壓法》立項

深圳平湖實驗室成功制備國內(nèi)首個氮化鋁/富鋁鎵氮高電子遷移率晶體管

韓開發(fā)出新高遷移率p型半導體材料

CSPSD 2024成都前瞻|上海大學任開琳：一種新型氮化鎵基發(fā)光高電子遷移率晶體管

首個由石墨烯制成的功能半導體問世?電子遷移率是硅的10倍

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IFWS 2023│臺灣成功大學李清庭：GaN基單片電子器件的集成互補金屬氧化物半導體D模和E模高電子遷移率晶體管

MXene范德華接觸在氮化鎵高電子遷移率晶體管中的應用

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國家納米科學中心劉新風研究團隊首次測定超高熱導率半導體-砷化硼的載流子遷移率

蘇州大學揭建勝教授團隊提出有機半導體單晶薄膜制備新方法，遷移率變異系數(shù)僅9.8%

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