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晶盛機電12英寸單片式碳化硅外延生長設(shè)備順利交付

SiC技術(shù)重磅突破！瀚天天成全球首發(fā)12英寸碳化硅外延晶片

晶湛半導(dǎo)體程凱：MOVPE GaN外延技術(shù)基礎(chǔ)

晶旭半導(dǎo)體王鋼：硅襯底氧化鎵異質(zhì)外延生長及應(yīng)用

蘇州外延世二期半導(dǎo)體產(chǎn)線項目開工！

碳化硅外延片廠商天域半導(dǎo)體正式登陸港交所！

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2025云南晶體大會前瞻|北方華創(chuàng)楊牧龍:化合物半導(dǎo)體外延設(shè)備及工藝解決方案

2025云南晶體大會前瞻|甬江實驗室陳荔:氮化鋁半極性面外延調(diào)控及其在深紫外LED中的應(yīng)用

2025云南晶體大會前瞻|北京大學(xué)王新強：氮化物半導(dǎo)體的大失配外延及其器件研究

2025云南晶體大會前瞻| 富加鎵業(yè)陳端陽：氧化鎵單晶襯底及外延技術(shù)研發(fā)進(jìn)展

2025云南晶體大會前瞻|西安電子科技大學(xué)陶鴻昌：氧化鎵異質(zhì)外延成核調(diào)控及肖特基二極管（SBD）勢壘均勻性研究

2025云南晶體大會前瞻|廈門大學(xué)盧衛(wèi)芳：GaN/InGaN基核-殼納米結(jié)構(gòu)選區(qū)外延及其Micro-LED器件制備研究

2025云南晶體大會前瞻|中電科第四十八研究所謝添樂：寬禁帶化合物半導(dǎo)體外延關(guān)鍵裝備解決方案

2025云南晶體大會前瞻|云南大學(xué)楊杰：III-V族和IV族半導(dǎo)體晶片及其外延材料的缺陷溯源分析

2025云南晶體大會前瞻|天科合達(dá)劉春?。捍蟪叽缣蓟枰r底和外延產(chǎn)業(yè)進(jìn)展

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2025云南晶體大會前瞻|中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所楊曉光：硅基III-V族材料外延及異質(zhì)集成研究進(jìn)展

標(biāo)準(zhǔn) | 《用于HEMT功率器件的硅襯底氮化鎵外延片》發(fā)布

自主突破，九峰山實驗室首發(fā)6英寸InP激光器與探測器外延工藝

國際首發(fā)！深圳平湖實驗室研制8英寸4°傾角4H-SiC上高質(zhì)量GaN外延

48所深耕化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域，持續(xù)擴大外延設(shè)備應(yīng)用領(lǐng)域

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廣州粵升8英寸SiC外延設(shè)備完成研發(fā)并出貨

天域半導(dǎo)體再戰(zhàn)港交所：中國碳化硅外延片龍頭客戶集中度超75%，華為比亞迪已入股

氮化鎵外延層中位錯輔助的電子和空穴傳輸研究取得進(jìn)展

標(biāo)準(zhǔn)/“GaN HEMT開關(guān)可靠性試驗、功率器件用硅襯底GaN外延片”2項標(biāo)準(zhǔn)形成委員會草案

中科院微電子所黃森、劉新宇團隊在GaN外延位錯傳導(dǎo)載流子及其導(dǎo)致功率電子器件可靠性退化機制方面取得重要進(jìn)展

納設(shè)智能全自動雙腔8英寸碳化硅外延設(shè)備交付！

武大、西電合作攻克范德華外延氮化鎵高質(zhì)量成核與生長難題，為跨材料、跨功能的寬禁帶半導(dǎo)體異構(gòu)集成掃清了關(guān)鍵障礙

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