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美國弗吉尼亞理工大學(xué)張宇昊：中高壓（1-10kV）氮化鎵功率器件新進(jìn)展

聚焦前沿顯示技術(shù)進(jìn)展，國內(nèi)外專家學(xué)者專題分享Mini/Micro LED等顯示技術(shù)成果

專家學(xué)者直擊固態(tài)紫外材料與器件新進(jìn)展，加速前沿技術(shù)賦能產(chǎn)業(yè)發(fā)展

北京大學(xué)在氧化物半導(dǎo)體器件方向取得系列重要進(jìn)展

5G乘風(fēng)破浪，聚焦射頻電子材料與器件技術(shù)新進(jìn)展

SSLCHINA：聚焦教育照明與健康光環(huán)境研究進(jìn)展

IFWS：氮化鎵功率電子器件技術(shù)研究進(jìn)展

IFWS：碳化硅功率電子器件技術(shù)進(jìn)展追蹤

IFWS：聚焦固態(tài)紫外材料與器件新進(jìn)展

SSLCHINA：LED芯片、封裝與光通信技術(shù)與應(yīng)用進(jìn)展

IFWS：超寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件技術(shù)最新進(jìn)展

SSLCHINA：Mini/Micro-LED技術(shù)產(chǎn)業(yè)應(yīng)用新進(jìn)展

天馬微電子集團(tuán)研發(fā)中心總經(jīng)理秦鋒：Micro-LED顯示產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展與挑戰(zhàn)

中國電子科技集團(tuán)首席專家柏松：SiC功率MOSFET技術(shù)及應(yīng)用進(jìn)展

簡述Ir襯底上金剛石半導(dǎo)體異質(zhì)外延生長技術(shù)與機(jī)理研究進(jìn)展

重磅UVLED論壇！全面直擊UV LED創(chuàng)新應(yīng)用，聚焦固態(tài)紫外材料與器件新進(jìn)展

開年重要碳化硅半導(dǎo)體論壇！直擊碳化硅襯底材料生長與加工及外延技術(shù)前沿進(jìn)展

南京市浦口經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)公布一批半導(dǎo)體重大項(xiàng)目建設(shè)進(jìn)展

東大團(tuán)隊(duì)研究成果榮膺2022年度“中國半導(dǎo)體十大研究進(jìn)展”

2022年度中國半導(dǎo)體十大研究進(jìn)展

多個涉第三代半導(dǎo)體、芯片、封測等項(xiàng)目迎來新進(jìn)展

清華大學(xué)研究組在低維半金屬半導(dǎo)體接觸研究中取得進(jìn)展

上海光機(jī)所在高峰值功率皮秒深紫外光源方面取得研究進(jìn)展

長春應(yīng)化所在晶態(tài)有機(jī)發(fā)光二極管研究中取得重要進(jìn)展

廈大課題組在有機(jī)半導(dǎo)體空穴傳輸材料領(lǐng)域取得系列進(jìn)展

德智新材、芯邑半導(dǎo)體、強(qiáng)茂半導(dǎo)體、和研科技、任丙科技五家企業(yè)半導(dǎo)體項(xiàng)目迎新進(jìn)展！

上海微系統(tǒng)所在碳化硅異質(zhì)集成材料與光子器件領(lǐng)域取得進(jìn)展

中國科大在低維光伏材料點(diǎn)缺陷性質(zhì)研究中取得新進(jìn)展

武漢大學(xué)袁超研究員：熱反射表征技術(shù)在寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件領(lǐng)域的應(yīng)用進(jìn)展

中國科大在氧化鎵半導(dǎo)體器件領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

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