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西安交通大學(xué)李強:磁控濺射沉積hBN薄膜的最新進展

南方科技大學(xué)汪青：Si基GaN射頻器件的關(guān)鍵技術(shù)研究進展

中電化合物半導(dǎo)體唐軍：SiC基GaN射頻材料熱阻研究進展

南砂晶圓彭燕：SiC單晶材料及產(chǎn)業(yè)化進展

中微公司副總裁郭世平：AMEC用于綠色和藍色Mini/Micro-LED的MOCVD開發(fā)新進展

廈門三安光電張中英:UVB & UVC AlGaN基深紫外LED器件的最新進展

南方科技大學(xué)孫小衛(wèi)：量子點顯示技術(shù)研究進展

國星光電章金惠：從Mini到Micro LED技術(shù)演變的思考、問題及進展

英諾賽科陳鈺林：硅基氮化鎵產(chǎn)業(yè)化進展與市場前景

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北京大學(xué)教授沈波：AlGaN基深紫外發(fā)光材料和器件技術(shù)進展

2020年Q2的GaN射頻器件產(chǎn)品最新進展

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蘇州納米所聯(lián)合國家納米中心在超高精度激光光刻技術(shù)上取得重要進展

周期倍增鎖模光纖激光器研究獲進展

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聚時科技：AI在半導(dǎo)體高端制造領(lǐng)域應(yīng)用獲重大進展

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臺媒：臺積電5nm制程進展順利上半年量產(chǎn)

中國科學(xué)院院士、南昌大學(xué)副校長江風益：從硅基氮化鎵LED進展看半導(dǎo)體照明未來

郝躍院士：寬禁帶與超寬禁帶半導(dǎo)體器件新進展

郝躍院士：化合物半導(dǎo)體電子器件研究與進展

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