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標準 | 《氮化鎵高電子遷移率晶體管
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電壓測試 脈沖電壓法》立項
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2025-10-23 10:32
北京大學團隊成功研制無
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電壓負漂650V/10A增強型GaN器件
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2025-05-22 18:32
CSPSD 2025前瞻|北京大學魏進：GaN功率器件動態(tài)電阻與動態(tài)
閾值
電壓
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2025-05-07 10:04
SiC MOSFET
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電壓等9項技術標準形成委員會草案
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2024-10-15 16:35
標準| SiC MOSFET
閾值
電壓等9項技術標準形成征求意見稿
評論 ?
2024-08-02 16:51
SiC MOSFET
閾值
電壓等9項技術標準形成征求意見稿
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2024-07-22 13:51
CSPSD 2024成都前瞻 |重慶大學蔣華平：碳化硅MOSFET動態(tài)
閾值
漂移
評論 ?
2024-04-16 15:16
CASA標準SiC MOSFET
閾值
電壓測試方法征求意見
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2023-06-29 17:49
西電張進成教授團隊最新成果：基于p-SnO帽層柵的高
閾值
增強型AlGaN/GaN HEMTs
評論 ?
2021-12-22 16:28
閾值
高達8.4V！GaN又破解一項難題
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2021-06-16 11:08
美國研究人員發(fā)現(xiàn)要想做一個更好的傳感器只需添加背景噪聲
信號
傳感器
噪聲
微弱
閾值
賓夕法尼亞
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2020-09-11 01:28
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