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CSPSD
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5前瞻|南京郵電大學南通研究院邀您同聚“
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5功率半導體器件與集成電路會議”
評論 ?
2025-05-16 11:21
CSPSD
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5前瞻|揚杰科技邀您同聚“
202
5功率半導體器件與集成電路會議”
評論 ?
2025-05-16 11:08
CSPSD
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5前瞻|國聯(lián)萬眾邀您同聚“
202
5功率半導體器件與集成電路會議”
評論 ?
2025-05-16 10:52
CSPSD
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5前瞻|矢量科學儀器邀您同聚“
202
5功率半導體器件與集成電路會議”
評論 ?
2025-05-16 10:28
芯源新材料亮相
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5 PCIM Europe
評論 ?
2025-05-16 10:01
詳細日程|
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5功率半導體器件與集成電路會議(CSPSD
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5)5月22-24日南京見!
評論 ?
2025-05-16 09:12
CSPSD
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5前瞻|復旦大學劉盼:1200V IGBT與SiC MOSFET的短路性能對比研究
評論 ?
2025-05-15 15:03
CSPSD
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5前瞻|中國科學技術大學楊樹:高壓低阻垂直型GaN功率電子器件研究
評論 ?
2025-05-15 14:13
CSPSD
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5前瞻|英諾賽科孟無忌:GaN“上車”之路——氮化鎵在電動汽車中應用方案與優(yōu)勢
評論 ?
2025-05-15 10:20
CSPSD
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5前瞻|香港大學張宇昊:GaN和Ga2O3中的多維器件 超結(jié)、多溝道和FinFET
評論 ?
2025-05-14 15:21
CSPSD
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5前瞻|西安電子科技大學張進成:鎵系半導體功率器件研究進展
評論 ?
2025-05-14 15:18
CSPSD
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5前瞻|東南大學劉斯揚:功率半導體集成技術研究進展
評論 ?
2025-05-14 15:16
CSPSD
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5前瞻|電子科技大學明鑫:面向AI服務器電源的低壓GaN驅(qū)動電路設計挑戰(zhàn)
評論 ?
2025-05-14 11:57
CSPSD
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5前瞻|山東大學彭燕:基于金剛石/碳化硅新型異質(zhì)散熱結(jié)構(gòu)的器件應用研究
評論 ?
2025-05-14 11:56
CSPSD
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5前瞻|中國科學技術大學徐光偉:基于摻雜調(diào)控和缺陷工程的氧化鎵功率器件研究
評論 ?
2025-05-14 10:51
CSPSD
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5前瞻|浙江大學王珩宇:碳化硅功率器件空間電荷補償技術
評論 ?
2025-05-14 10:08
研究機構(gòu):
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4年全球芯片市場規(guī)模達6830億美元,英飛凌、意法半導體跌出前十
評論 ?
2025-05-14 07:51
CSPSD
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5前瞻|中電科四十六所蘭飛飛:金剛石材料研究進展
評論 ?
2025-05-13 14:51
CSPSD
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5前瞻|揚杰科技施俊:SiC功率器件的技術發(fā)展和應用、挑戰(zhàn)和未來趨勢
評論 ?
2025-05-13 13:49
CSPSD
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5前瞻|國聯(lián)萬眾王川寶:SiC電力電子芯片技術與SiC基GaN射頻芯片技術進展
評論 ?
2025-05-13 10:35
CSPSD
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5前瞻|北京智慧能源研究院陳中圓:基于正向壓降表征的碳化硅MOSFET結(jié)溫測量方法研究
評論 ?
2025-05-13 10:33
CSPSD
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5前瞻|鎵和半導體董事長唐為華將做大會報告
評論 ?
2025-05-12 15:57
CSPSD
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5前瞻|南京大學陳敦軍:p-NiO/AlGaN/GaN HEMT功率器件及其載流子輸運與調(diào)控
評論 ?
2025-05-12 14:57
CSPSD
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5前瞻|山東大學劉超:1.5 kV全垂直GaN-on-Si功率MOSFET
評論 ?
2025-05-12 14:56
CSPSD
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5前瞻|電子科技大學章文通:基于電荷場調(diào)制機理的高溫高壓車規(guī)SOI超結(jié)BCD技術
評論 ?
2025-05-12 14:40
CSPSD
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5前瞻|九峰山實驗室袁?。盒滦投嗉墱喜垩趸壒β势骷难芯?/a>
評論 ?
2025-05-12 14:38
CSPSD
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5前瞻|?氮矽科技羅鵬:集成驅(qū)動氮化鎵芯片的必要性與發(fā)展趨勢
評論 ?
2025-05-12 13:41
CSPSD
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5前瞻|?深圳大學劉新科:低成本GaN基GaN功率器件
評論 ?
2025-05-12 11:54
CSPSD
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5前瞻|南京第三代半導體技術創(chuàng)新中心有限公司李士顏:新一代SiC功率MOSFET產(chǎn)品研制進展
評論 ?
2025-05-12 11:11
CSPSD
202
5前瞻|超芯星劉欣宇:破界·賦能·引領——化學氣相法碳化硅襯底技術創(chuàng)新開啟未來產(chǎn)業(yè)新紀元
評論 ?
2025-05-12 11:03
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