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芯源新材料亮相2025 PCIM Europe

詳細(xì)日程| 2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議（CSPSD 2025）5月22-24日南京見(jiàn)!

CSPSD 2025前瞻|復(fù)旦大學(xué)劉盼：1200V IGBT與SiC MOSFET的短路性能對(duì)比研究

CSPSD 2025前瞻|中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)楊樹(shù)：高壓低阻垂直型GaN功率電子器件研究

CSPSD 2025前瞻|英諾賽科孟無(wú)忌：GaN“上車(chē)”之路——氮化鎵在電動(dòng)汽車(chē)中應(yīng)用方案與優(yōu)勢(shì)

CSPSD 2025前瞻|香港大學(xué)張宇昊：GaN和Ga2O3中的多維器件超結(jié)、多溝道和FinFET

CSPSD 2025前瞻|西安電子科技大學(xué)張進(jìn)成:鎵系半導(dǎo)體功率器件研究進(jìn)展

CSPSD 2025前瞻|東南大學(xué)劉斯揚(yáng)：功率半導(dǎo)體集成技術(shù)研究進(jìn)展

CSPSD 2025前瞻|電子科技大學(xué)明鑫：面向AI服務(wù)器電源的低壓GaN驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)

CSPSD 2025前瞻|山東大學(xué)彭燕：基于金剛石/碳化硅新型異質(zhì)散熱結(jié)構(gòu)的器件應(yīng)用研究

CSPSD 2025前瞻|中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)徐光偉：基于摻雜調(diào)控和缺陷工程的氧化鎵功率器件研究

CSPSD 2025前瞻|浙江大學(xué)王珩宇：碳化硅功率器件空間電荷補(bǔ)償技術(shù)

研究機(jī)構(gòu)：2024年全球芯片市場(chǎng)規(guī)模達(dá)6830億美元，英飛凌、意法半導(dǎo)體跌出前十

CSPSD 2025前瞻|中電科四十六所蘭飛飛：金剛石材料研究進(jìn)展

CSPSD 2025前瞻|揚(yáng)杰科技施?。篠iC功率器件的技術(shù)發(fā)展和應(yīng)用、挑戰(zhàn)和未來(lái)趨勢(shì)

CSPSD 2025前瞻|國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾王川寶：SiC電力電子芯片技術(shù)與SiC基GaN射頻芯片技術(shù)進(jìn)展

CSPSD 2025前瞻|北京智慧能源研究院陳中圓：基于正向壓降表征的碳化硅MOSFET結(jié)溫測(cè)量方法研究

CSPSD 2025前瞻|鎵和半導(dǎo)體董事長(zhǎng)唐為華將做大會(huì)報(bào)告

CSPSD 2025前瞻|南京大學(xué)陳敦軍：p-NiO/AlGaN/GaN HEMT功率器件及其載流子輸運(yùn)與調(diào)控

CSPSD 2025前瞻|山東大學(xué)劉超：1.5 kV全垂直GaN-on-Si功率MOSFET

CSPSD 2025前瞻|電子科技大學(xué)章文通：基于電荷場(chǎng)調(diào)制機(jī)理的高溫高壓車(chē)規(guī)SOI超結(jié)BCD技術(shù)

CSPSD 2025前瞻|九峰山實(shí)驗(yàn)室袁?。盒滦投嗉?jí)溝槽氧化鎵功率器件的研究

CSPSD 2025前瞻|?氮矽科技羅鵬：集成驅(qū)動(dòng)氮化鎵芯片的必要性與發(fā)展趨勢(shì)

CSPSD 2025前瞻|?深圳大學(xué)劉新科：低成本GaN基GaN功率器件

CSPSD 2025前瞻|南京第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心有限公司李士顏:新一代SiC功率MOSFET產(chǎn)品研制進(jìn)展

CSPSD 2025前瞻|超芯星劉欣宇：破界·賦能·引領(lǐng)——化學(xué)氣相法碳化硅襯底技術(shù)創(chuàng)新開(kāi)啟未來(lái)產(chǎn)業(yè)新紀(jì)元

CSPSD 2025前瞻| 中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)所程新紅：寬禁帶半導(dǎo)體3D集成技術(shù)

CSPSD 2025前瞻| 西安電子科技大學(xué)趙勝雷：GaN HEMT器件擊穿機(jī)理多維度分析與探討

CSPSD 2025前瞻|西安電子科技大學(xué)宋慶文：高性能SiC功率器件關(guān)鍵技術(shù)研究進(jìn)展

CSPSD 2025前瞻|江南大學(xué)黃偉：高性能宇航級(jí)SGT功率器件與輻照模型研究

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