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IFWS
202
3│西安交通大學(xué)王來(lái)利:碳化硅功率半導(dǎo)體多芯片封裝技術(shù)
評(píng)論 ?
2023-12-19 11:35
IFWS
202
3│科友半導(dǎo)體趙麗麗:8英寸碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展
評(píng)論 ?
2023-12-19 11:05
IFWS
202
3│南砂晶圓/山東大學(xué)楊祥龍:大尺寸SiC單晶的研究進(jìn)展
評(píng)論 ?
2023-12-18 11:52
IFWS
202
3│華南師范大學(xué)尹以安:具復(fù)合柵極和階梯結(jié)構(gòu)的新型GaN垂直晶體管研究
評(píng)論 ?
2023-12-18 10:11
創(chuàng)紀(jì)錄!
202
3年倒閉1.09萬(wàn)家芯片公司,平均每天31家關(guān)門(mén)!
芯片,倒閉,2023
評(píng)論 ?
2023-12-15 14:10
IFWS
202
3│晶格領(lǐng)域張澤盛:液相法碳化硅單晶生長(zhǎng)技術(shù)研究
評(píng)論 ?
2023-12-15 13:38
中金:碳化硅
202
4年有望迎接大規(guī)模放量
評(píng)論 ?
2023-12-15 10:54
天岳先進(jìn)入選“
202
3年度智能制造標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用試點(diǎn)項(xiàng)目”
評(píng)論 ?
2023-12-14 16:01
華為宣布
202
4年將部署超10萬(wàn)個(gè)全液冷超快充電樁,可實(shí)現(xiàn)“一秒一公里”!
評(píng)論 ?
2023-12-13 22:02
畢馬威:半導(dǎo)體和智能手機(jī)市場(chǎng)將在
202
4年反彈
評(píng)論 ?
2023-12-13 17:00
SEMI:
202
5年全球半導(dǎo)體設(shè)備銷(xiāo)售額將達(dá)到1240億美元
評(píng)論 ?
2023-12-13 16:56
IFWS
202
3│小鵬汽車(chē)楊恒:碳化硅器件在新能源車(chē)電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的應(yīng)用
評(píng)論 ?
2023-12-13 10:58
國(guó)星光電子公司風(fēng)華芯電三項(xiàng)產(chǎn)品榮獲“
202
3年廣東省名優(yōu)高新技術(shù)產(chǎn)品”稱(chēng)號(hào)
評(píng)論 ?
2023-12-12 15:47
IFWS
202
3│日本大阪大學(xué)陳傳彤:SiC功率模塊中微米級(jí)Ag燒結(jié)連接技術(shù)的進(jìn)展
評(píng)論 ?
2023-12-12 14:17
IFWS
202
3│瞻芯電子曹峻:碳化硅車(chē)載功率轉(zhuǎn)換解決方案
評(píng)論 ?
2023-12-12 10:45
IFWS
202
3│大連理工大學(xué)王德君: 提升SiC MOS 器件性能可靠性的表面優(yōu)化途徑
評(píng)論 ?
2023-12-11 17:38
IFWS
202
3│加拿大Crosslight首席研發(fā)專(zhuān)家Ahmed NASHED:基于半導(dǎo)體激光器件的高級(jí)光學(xué)建模與仿真
評(píng)論 ?
2023-12-11 15:24
IFWS
202
3│博睿光電梁超:面向高功率器件的超高導(dǎo)熱AIN陶瓷基板的研制及開(kāi)發(fā)
評(píng)論 ?
2023-12-11 11:02
IFWS
202
3│臺(tái)灣成功大學(xué)李清庭:GaN基單片電子器件的集成互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體D模和E模高電子遷移率晶體管
評(píng)論 ?
2023-12-08 16:40
IFWS
202
3│日本國(guó)立材料研究所桑立雯:GaN MEMS/NEMS應(yīng)變調(diào)控諧振器
評(píng)論 ?
2023-12-08 16:04
IFWS
202
3│氮矽科技朱仁強(qiáng):增強(qiáng)型功率氮化鎵器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)進(jìn)展
評(píng)論 ?
2023-12-08 15:49
IFWS
202
3│南方科技大學(xué)于洪宇:Si基GaN器件及系統(tǒng)研究與產(chǎn)業(yè)前景
評(píng)論 ?
2023-12-08 15:32
IFWS
202
3│Yuri MAKAROV:利用碳化鉭的坩堝中物理氣相傳輸生長(zhǎng)SiC和AlN晶體
評(píng)論 ?
2023-12-08 14:32
IDC預(yù)測(cè)
202
4年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)八大預(yù)測(cè)
評(píng)論 ?
2023-12-08 11:34
IFWS
202
3│中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所閆果果:6英寸碳化硅外延生長(zhǎng)及深能級(jí)缺陷研究
評(píng)論 ?
2023-12-07 17:38
IFWS
202
3│南京大學(xué)修向前:基于HVPE的氮化鎵單晶襯底設(shè)備與工藝技術(shù)
評(píng)論 ?
2023-12-07 15:51
IFWS
202
3│中國(guó)科學(xué)院蘇州納米所司志偉:助熔劑法生長(zhǎng)GaN單晶襯底的研究進(jìn)展
評(píng)論 ?
2023-12-07 15:07
SSLCHINA
202
3│廈門(mén)大學(xué)黃凱:顯示用Micro-LED芯片與集成技術(shù)新進(jìn)展
評(píng)論 ?
2023-12-07 14:33
SSLCHINA
202
3│芯穎顯示謝相偉:Micro-LED顯示關(guān)鍵技術(shù)突破
評(píng)論 ?
2023-12-07 11:23
SSLCHINA
202
3│長(zhǎng)虹電子陳寧:Micro LED新型投影顯示技術(shù)展望
評(píng)論 ?
2023-12-07 11:21
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