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  • 上?？萍即髮W(xué)信息學(xué)院
    基于氮化鎵的CRM圖騰柱PFC整流器的無傳感器電流過零檢測技術(shù)王浩宇上?？萍即髮W(xué)信息學(xué)院長聘副教授、研究員WANG HaoyuAssociate Professor of ShanghaiTech University
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    guansheng2023-05-19 09:09
  • 沛塬電子市場產(chǎn)品總監(jiān)
    基于寬禁帶器件的高頻大功率模組應(yīng)用Application of high frequency and high power module based on wide band gap device劉正陽上海沛塬電子有限公司市場產(chǎn)品總監(jiān)Zhengyang LIUShanghai MetaPWR Electronics Co., LTD
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    guansheng2023-05-19 09:06
  • 北京大學(xué)副教授許福軍
    AlGaN基低維量子結(jié)構(gòu)外延和電導(dǎo)率調(diào)控研究Study on the epitaxy and conductivity regulation of AlGaN based low dimensional quantum structures許福軍北京大學(xué)物理學(xué)院副教授Xu Fujun - Associate Professor, Peking University
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    guansheng2023-05-19 08:51
  • 南京大學(xué)教授修向前：
    基于HVPE-Ga2O3氮化的GaN襯底技術(shù)The preparation of GaN based on the nitridation of HVPE-Ga2O3 films修向前南京大學(xué)教授XIU Xiangqian-Professor of Nanjing university
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    guansheng2023-05-18 16:18
  • 復(fù)旦大學(xué)張園覽：基于
    基于P區(qū)反序摻雜策略的高效碳化硅結(jié)勢壘肖特基二極管的研究High-Performance 1200 V/ 20 A 4H-SiC JBS Diodes with Retrograde P-Implants Strategy張園覽復(fù)旦大學(xué)Yuan-Lan ZHANGFudan University
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    limit2022-05-01 20:24
  • 【視頻報告 2018】基
    深圳基本半導(dǎo)體有限公司副總經(jīng)理張振中介紹了《高性能 3D SiC JBS 二極管》主題報告；張振中對各種類型的碳化硅器件，包括高壓PiN二極管、高溫JBS二極管、SBD管、平面及溝槽型MOSFET、JFET、BJT、UV二極管、MESFET都有從版圖設(shè)計引入到量產(chǎn)工藝開發(fā)直到后期失效分析及良率提升等一系列的工藝技術(shù)IP和產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗。
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    limit2021-04-29 12:26
  • 【視頻報告 2018】Vic
    美國電力副執(zhí)行主任兼首席技術(shù)官、美國北卡羅萊納州立大學(xué)教授Victor Veliadis帶來《10 kV 4H-SiC晶體管基面位錯和耐久性的影響》；
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    limit2021-04-29 12:26
  • 【視頻報告 2018】西
    西安電子科技大學(xué)趙子越博士分享了《基于氮化鈦源極擴展技術(shù)的常關(guān)型氟離子處理的AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管（fT/fmax=61GHz/130GHz）》主題報告。他介紹說，在SiC襯底上實現(xiàn)了高性能的柵長為0.1um的常關(guān)型薄勢壘AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管器件，采用氟離子注入技術(shù)并結(jié)合氮化鈦源極擴展技術(shù)實現(xiàn)了高性能的常關(guān)型器件，其閾值電壓達到0.6V，飽和電流達到845mA/mm@Vgs=3V ，峰值跨導(dǎo)達到412mS/mm，電流截止頻率達到61GHz，最大
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    limit2021-04-29 12:21
  • 【視頻報告 2018】敖
    日本德島大學(xué)教授、西安電子科技大學(xué)特聘教授敖金平在《用于微波無線電能傳輸?shù)牡壣漕l肖特基二極管》報告中介紹到：無線電能傳輸技術(shù)是非常有前景的新技術(shù)，可以用在各種各樣的無線系統(tǒng)，比如無線充電、能量收割、無處不在的電源和建筑物內(nèi)的電源供應(yīng)等。在微波無線電能傳輸系統(tǒng)里，通常采用天線整流電路（rectenna）來完成RF到DC的能量轉(zhuǎn)換。天線整流電路廣泛地用到肖特基勢壘二極管（SBD）。但是，目前市場上很難找到能在天
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    limit2021-04-29 12:21
  • 【視頻報告 2018】中
    中科院半導(dǎo)體研究所所長助理、研究員張韻分享了《III族氮化物基射頻HEMT、HBT與濾波器》報告，受限于鈮酸鋰聲速較低(3400-4000 m/s)，商用鈮酸鋰基聲表面波（SAW）濾波器工作頻率通常低于3 GHz，難以滿足通訊系統(tǒng)頻率不斷提升的需求，因此基于高聲速AlN薄膜(5600-6000 m/s)的高頻SAW濾波器成為研究熱點。分別在鈮酸鋰襯底和AlN/藍寶石襯底上制備出叉指寬度為2 靘的SAW濾波器，鈮酸鋰SAW濾波器的中心頻率為426.7 MHz，而AlN基SAW 濾
    126900
    limit2021-04-29 12:20
  • 【視頻報告 2018】臺
    【極智報告】臺灣長庚大學(xué)邱顯欽教授：適用于第五代移動通訊六吋與八吋硅基氮化鎵微波器件解決方案
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    limit2021-04-29 12:20
  • 【視頻報告 2018】日
    日本名城大學(xué)副教授Motoaki IWAYA 帶來了關(guān)于基于AlGaN 激光的發(fā)展現(xiàn)狀的報告。
    96700
    limit2021-04-29 12:06
  • 【視頻報告 2018】北
    垂直氮化鎵器件，尤其是硅襯底上，因其低成本襯底而引起了人們對大功率應(yīng)用的廣泛關(guān)注。但其性能仍低于氮化鎵襯底上的垂直氮化鎵器件。關(guān)鍵問題是在硅襯底上實現(xiàn)低位錯密度和連續(xù)厚氮化鎵層具有挑戰(zhàn)性。會上，北京大學(xué)馮玉霞博士結(jié)合具體的研究實踐，分享了Si襯底上GaN基外延材料生長及雜質(zhì)缺陷研究的成果，首次提供了在C摻雜半絕緣氮化鎵中取代C原子占據(jù)N位點的明確證據(jù)。
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    limit2021-04-29 12:05
  • 【視頻報告 2019】河
    河北工業(yè)大學(xué)教授張紫輝帶來了題為基于氮化物半導(dǎo)體和碳化硅光電子器件的仿真與分析的精彩報告，介紹基于氮化物半導(dǎo)體和SiC材料光電子器件仿真與分析的最新結(jié)果。 研究通過極化調(diào)制、摻雜調(diào)控等手段適當調(diào)節(jié)載流子的能量以改善AlGaN基深紫外發(fā)光二極管(DUV LED) 載流子的注入效率，通過局部調(diào)控摻雜類型改善了DUV LED的電流擴展，并揭示了器件機理；此外，針對GaN基核/殼LED以及Micro-LED的器件物理進行了詳細研究，系統(tǒng)探究了各種
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    limit2021-04-29 10:46
  • 【視頻報告】英諾賽科
    英諾賽科科技有限公司董事長駱薇薇分享了硅基氮化鎵產(chǎn)業(yè)化發(fā)展的機遇與挑戰(zhàn)。駱薇薇在美國宇航局（NASA）工作了15年，并創(chuàng)辦了兩
    45000
    limit2021-04-26 15:05
  • 美國NAURA-Akrion, In
    美國NAURA-Akrion, Inc.首席技術(shù)官Ismail I. KASHKOUSH分享了基于碳化硅器件制造的先進化學(xué)濃度控制技術(shù)的研究成果。在傳統(tǒng)的MEMS制備中，相對惰性化合物（比如Si3N4）通常用于刻蝕停止或者制備襯底中的掩膜。然而這種材料需要了解刻蝕對于襯底的選擇性。對于過去的20年，研究發(fā)現(xiàn)碳化硅（SiC）因為其化學(xué)性質(zhì)比較惰性已經(jīng)可以作為傳統(tǒng)批量微加工刻蝕停止的替代物。包括燃料霧化器，壓力傳感器和微型模具等MEMS應(yīng)用中可以使用典型
    212700
    limit2019-12-31 13:02
  • 英諾賽科科技有限公司
    英諾賽科科技有限公司董事長駱薇薇分享了硅基氮化鎵產(chǎn)業(yè)化發(fā)展的機遇與挑戰(zhàn)。駱薇薇在美國宇航局（NASA）工作了15年，并創(chuàng)辦了兩
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    limit2019-12-31 12:38
  • 英諾賽科研發(fā)中心副總
    英諾賽科研發(fā)中心副總裁David C. ZHOU分享了《200mm 40V-650V E型硅基氮化鎵材料功率器件技術(shù)：從器件、封裝、到系統(tǒng)》研究報告
    222800
    limit2019-12-30 13:03
  • 中國科學(xué)院微電子研究
    中國科學(xué)院微電子研究所研究員龍世兵分享了基于(100) -Ga2O3 單晶的肖特基二極管和MOS電容的研究成果?；谛脱趸壦a(chǎn)的一些器件在能源使用中發(fā)揮著重要的作用。能源使用的安全性是一個重要問題，在自然能源不斷減少，價格不斷上升的背景下，我們需要找到一個更加有效的方式來利用能源。當前在高電壓應(yīng)用領(lǐng)域，包括高鐵和智能電網(wǎng)等，硅仍然是主導(dǎo)材料，但有一定局限性，比如禁帶比較窄等。與寬禁帶材料相比，有弱勢的地方。
    216200
    limit2018-02-01 10:49
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