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報告嘉賓：北京天科合達半導體股份有限公司副總經(jīng)理兼技術(shù)總監(jiān)劉春俊博士 報告主題：《大尺寸碳化硅單晶生長研究及產(chǎn)業(yè)進展》

報告簡介單晶4H型碳化硅臺階生長機理 The step growth mechanism for 4H-SiC with Improved Single Polytypes林偉廈門大學副教授 LINWeiAssociate Professor of Xiamen University

鄭州大學教授劉玉懷做了題為氮化鋁/藍寶石模板上六方氮化硼薄膜的有機金屬氣相外延研究的報告，介紹了多層h-BN膜的表面和結(jié)晶度、微觀結(jié)構(gòu)和鍵合結(jié)構(gòu)。h-BN在AlN上的生長模型等研究內(nèi)容。研究成功證明了通過脈沖模式MOVPE在AlN模板上直接生長單晶多層h-BN，在AlN表面上形成連續(xù)和聚結(jié)的多層h-BN，提出了初始帽形核的生長模型，然后在AlN上進行h-BN的二維橫向生長。

日本國立佐賀大學同步輻射光應用研究中心主任、電氣電子系教授郭其新帶來了題為超寬禁帶氧化半導體的生長和特性的主題報告。郭其新主要從事半導體材料制備與表征，同步輻射光應用研究。報告中主要介紹了Ga2O3等寬禁帶氧化半導體薄膜的生長和特性。通過對于In和Al元素的調(diào)整我們可以調(diào)整Ga2O3或Ga2O3薄膜的能帶寬度。研究制備了Ga2O3:Er/Si LED，其驅(qū)動電壓稍微比ZnO:Er/Si或者GaN:Er/Si的要低。同時，還研究了Eu摻雜的Ga2O3薄膜的