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集成功率器件與智能控制單元、基于片上系統(tǒng)解決方案的智能功率芯片技術成為未來功率系統(tǒng)的最佳選擇。然而，傳統(tǒng)的硅功率器件的效率、開關速度以及最高工作溫度已逼近其極限，使得寬禁帶半導體氮化鎵成為應用于功率管理的理想替代材料。香港科技大學教授陳敬做了全GaN功率集成技術的報告，該技術能夠實現(xiàn)智能功率集成所需的功率模塊和各種控制單元模塊。

電子科技大學教授明鑫帶來了功率GaN器件驅動技術的報告，分享了該技術領域的最新進展。

西安衛(wèi)光科技微晶微電子有限公司總工程師、博士馮 巍 《SiC功率MOSFET封裝工藝》

西安電子科技大學教授張金風做了題為金剛石超寬禁帶半導體材料和器件新進展的主題報告。她介紹說，金剛石屬于新興的超寬禁帶半導體材料，具有禁帶寬度大，耐擊穿，載流子遷移率高，熱導率極高，抗輻照等優(yōu)點。在熱沉，大功率、高頻器件，光學窗口，量子信息等領域具有極大應用潛力。報告中介紹了大尺寸金剛石單晶的制備方法最成功的是同質外延的克隆拼接生長方法和在Ir襯底上異質外延的生長方法。她表示，實現(xiàn)室溫下高電離率的體摻

西安電子科技大學微電子學院院長張玉明：SiC MOSFET高閾值的實現(xiàn)及給應用帶來的優(yōu)勢

英諾賽科科技有限公司董事長駱薇薇分享了硅基氮化鎵產(chǎn)業(yè)化發(fā)展的機遇與挑戰(zhàn)。駱薇薇在美國宇航局（NASA）工作了15年，并創(chuàng)辦了兩

杭州慧億科技孟楠：UVC LED殺菌模組的優(yōu)化設計與驗證

湖北深紫科技陳景文：深紫外UVC-LED殺菌方案深度設計