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AlN基高壓高頻功率器件研究進展及挑戰(zhàn)Research Progress and Application Prospect ofAlNSingle Crystal Materials周弘西安電子科技大學教授ZHOUHongProfessor at Xidian University

等離子體輔助分子束外延生長AlN薄膜AlN epilayers grown by plasma assisted molecular beam epitaxy劉歡南京大學LIU HuanNanjing University

電流/功率截止頻率為135/310 GHz的高性能硅基InAlN/GaN HEMTsHigh-Performance InAlN/GaN HEMTs on Silicon Substrate with fT/fmax of 135/310 GHz 崔鵬山東大學新一代半導體材料研究院研究員CUIPengResearch Fellow of the Institute of Novel Semiconductor of Shandong University

面向功率器件的高性能AlN陶瓷基板High Performance AlN Ceramic Substrate for Power Devices梁超江蘇博睿光電股份有限公司副總經理LIANG ChaoDeputy General Manager of Jiangsu Bree Optronics Co., Ltd

PVT法同質外延AlN生長和p型摻雜面臨的挑戰(zhàn)Challenges on homoepitaxial AlN growth and p-type doping by the PVT method王琦琨奧趨光電技術（杭州）有限公司研發(fā)總監(jiān)（CTO）

利用AlN傳導層在GaN襯底上外延生長金剛石薄膜及其熱傳輸特性Thermal dissipation from GaN to diamond with AlN conduction layer桑立雯日本國立物質材料研究所獨立研究員SANG LiwenIndependent Scientist of National Institute for Materials Science (NIMS), Japan

平片藍寶石襯底上高質量AlN材料MOCVD外延生長High quality AlN growth on flat sapphire at relative low temperature by MOCVD趙德剛中國科學院半導體所研究員ZHAO DegangProfesor of Institute of Semiconductors, CAS

鄭州大學教授劉玉懷做了題為氮化鋁/藍寶石模板上六方氮化硼薄膜的有機金屬氣相外延研究的報告，介紹了多層h-BN膜的表面和結晶度、微觀結構和鍵合結構。h-BN在AlN上的生長模型等研究內容。研究成功證明了通過脈沖模式MOVPE在AlN模板上直接生長單晶多層h-BN，在AlN表面上形成連續(xù)和聚結的多層h-BN，提出了初始帽形核的生長模型，然后在AlN上進行h-BN的二維橫向生長。