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程凱：新型GaN外延結(jié)
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程凱：新型GaN外延結(jié)
《新型GaN外延結(jié)構(gòu)及其應(yīng)用》作者：程凱單位：蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司
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limit2022-01-05 13:18
黃思溢：基于水平常壓
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黃思溢：基于水平常壓
《基于水平常壓式MOCVD的低溫p-GaN生長與性能表征》作者：黃思溢，池田昌夫，張名龍，張峰，朱建軍，劉建平，楊輝單位：中國科學(xué)
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limit2022-01-05 11:27
余佳東：等離子體密度
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余佳東：等離子體密度
《等離子體密度對ICP-MOCVD生長GaN薄膜的影響》作者：余佳東，羅毅，王健，張子軒，李翔，汪萊，郝智彪單位：北京信息科學(xué)與技術(shù)
26700
limit2022-01-05 11:25
趙見國：非極性(11-20
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趙見國：非極性(11-20
《非極性(11-20)面P型GaN和全組分InGaN的MOCVD生長與研究》作者：趙見國，陳凱，胡文曉，宮毛高，劉斌，陶濤，謝自力，嚴(yán)羽，張
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limit2022-01-05 11:22
許福軍：AlGaN基深紫
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許福軍：AlGaN基深紫
《AlGaN基深紫外LED材料和器件研究》作者：許福軍，沈波，單位：北京大學(xué)物理學(xué)院
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limit2022-01-05 09:53

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