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  • 西安電子科技大學(xué)郝躍
    中國(guó)科學(xué)院院士、西安電子科技大學(xué)郝躍教授帶來了超寬禁帶半導(dǎo)體器件與材料的若干新進(jìn)展 的主題報(bào)告;中科院外籍院士、中國(guó)科學(xué)院北京納米能源與系統(tǒng)研究所王中林院士帶來了第三代半導(dǎo)體中的壓電電子學(xué)與壓電光電子學(xué)的主題報(bào)告;廈門大學(xué)校長(zhǎng)張榮教授介紹了氮化物半導(dǎo)體基 Micro-LED顯示技術(shù)新進(jìn)展;大會(huì)主席、中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所李晉閩研究員帶來了氮化物深紫外LED光源助力公共衛(wèi)生安全 的主題報(bào)告。幾大精彩主題報(bào)告,從技
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    guansheng2022-09-10 15:38
  • 中科院合肥物質(zhì)科學(xué)研
    一種基于寬禁帶半導(dǎo)體材料的微孔陣列同位素電池張佳辰,韓運(yùn)成*,王曉彧,何厚軍,任雷,李桃生中國(guó)科學(xué)院合肥物質(zhì)科學(xué)研究院中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)湖北科技學(xué)院
    54300
    guansheng2022-09-01 16:11
  • 中電科13所高楠:MOCV
    MOCVD生長(zhǎng)高質(zhì)量6英寸SiC上GaN HEMT材料高楠,房玉龍*,尹甲運(yùn),張志榮,王波,李佳,蘆偉立,陳宏泰,牛晨亮中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所
    72200
    guansheng2022-09-01 13:45
  • 中科院寧波材料所郭煒
    基于極化調(diào)控的GaN HEMT隔離特性研究戴貽鈞,郭煒*,陳荔,李曉航,葉繼春中國(guó)科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所
    85500
    guansheng2022-09-01 12:27
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