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當前，人們對于綠色、環(huán)保、安全的重視度在不斷的提高，隨著全球化加速發(fā)展，公共衛(wèi)生風險對人口流動和經(jīng)濟活動造成前所未有的限制，防范和化解重大疫情和突發(fā)公共衛(wèi)生風險的重要性不言而喻?；诘谌雽w氮化鎵材料的紫外LED光源具有節(jié)能環(huán)保、壽命長、開啟速度快、輻射強度可控、光譜可定制等優(yōu)勢，成為維護公共衛(wèi)生安全的重要力量。紫外LED是半導體光電產(chǎn)業(yè)發(fā)展的新藍海，雙碳戰(zhàn)略也給包括紫外LED產(chǎn)業(yè)在內的綠色環(huán)保節(jié)能產(chǎn)

常見的氮化鎵器件為在異質襯底上長氮化鎵外延層制作成半導體器件。但由于使用的是異質襯底，材料之間存在著晶格失配與熱失配導致外延材料位錯密度比較高，阻礙了相關器件性能的提升及其穩(wěn)定性。采用氮化鎵單晶襯底實現(xiàn)同質外延是提高氮化鎵外延層晶體質量進而提高氮化鎵器件的主要途徑。劉宗亮博士在報告中結合GaN材料生長制備的主要方法及挑戰(zhàn)，GaN單晶制備的主要方法與特點以及國際上GaN單晶生長研究進展等，分享了GaN單晶襯底生

兩步法在藍寶石襯底上生長高質量-Ga2O3厚膜的研究張赫之，張嵩，董增印，張文輝，程麗媛，梁紅偉*大連理工大學中國電子科技集團公司第四十六研究所

大尺寸高質量氧化鎵單晶生長及性能研究穆文祥，李陽，賈志泰*，陶緒堂山東大學

MOCVD生長高質量6英寸SiC上GaN HEMT材料高楠，房玉龍*，尹甲運，張志榮，王波，李佳，蘆偉立，陳宏泰，牛晨亮中國電子科技集團公司第十三研究所

銻化物超晶格紅外探測器的MOCVD生長技術研究吳東海中國科學院半導體研究所