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中電科13所高楠:MOCV
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中電科13所高楠:MOCV
MOCVD生長高質(zhì)量6英寸SiC上GaN HEMT材料高楠,房玉龍*,尹甲運(yùn),張志榮,王波,李佳,蘆偉立,陳宏泰,牛晨亮中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所
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guansheng
2022-09-01 13:45
中科院寧波材料所郭煒
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中科院寧波材料所郭煒
基于極化調(diào)控的GaN HEMT隔離特性研究戴貽鈞,郭煒*,陳荔,李曉航,葉繼春中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所
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guansheng
2022-09-01 12:27
中科院北京納米所胡衛(wèi)
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中科院北京納米所胡衛(wèi)
壓電能帶工程和柔性AlGaN/GaN HEMT化麒麟,胡衛(wèi)國*中國科學(xué)院北京納米能源與系統(tǒng)研究所
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guansheng
2022-09-01 12:22
南京大學(xué)王海萍:基于
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南京大學(xué)王海萍:基于
基于增強(qiáng)型p-GaN HEMT的高性能紫外光電晶體管王海萍,游海帆,陳敦軍*,張榮,鄭有炓南京大學(xué)
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guansheng
2022-09-01 12:16
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