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【極智報告】南京大學陳琳：6英寸GaN襯底生長用HVPE反應腔的三維數(shù)值模擬

南京大學教授陸海報告中介紹了寬禁帶半導體紫外光電探測器及其應用進展。介紹了基于III族氮化物半導體和SiC的高性能UV光電探測器的材料生長，設(shè)計和制造方面的最新工作。

深紫外(DUV)和極深紫外(EUV)探測器在光刻、天文監(jiān)測以及國防預警等諸多領(lǐng)域具有非常廣闊的應用前景。在適用于DUV和EUV探測的所有