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山東大學(xué)教授陶緒堂做了晶體生長和β-Ga2O3表征的最新進(jìn)展的報告，分享了在氧化鎵晶體生長方面的研究實踐及成果。

西安交通大學(xué)教授王宏興做了關(guān)于微機(jī)電系統(tǒng)單晶金剛石微結(jié)構(gòu)制備的報告。

山東大學(xué)/濟(jì)南中烏新材料有限公司王?，|做了高溫高壓單晶實驗室生長金剛石技術(shù)的介紹，分享了單晶金剛石生產(chǎn)技術(shù)方面的工作及成果。

復(fù)旦大學(xué)的副教授田朋飛則帶來了“基于微LED與鈣鈦礦量子點結(jié)合的高帶寬白光通信系統(tǒng)”報告。他表示，可見光通信是一種先進(jìn)的無線通信技術(shù)，它可以將固態(tài)照明和光通信結(jié)合在一起。由大尺寸的藍(lán)光LED和黃色熒光粉組成的白光LED是常用的固態(tài)照明光源，但是黃色熒光粉的調(diào)制帶寬很低，限制了白光LED的最高數(shù)據(jù)通信速率，因而需要發(fā)展新型高帶寬白光LED。他介紹了一種新型高帶寬白光系統(tǒng)，使用藍(lán)光氮化鎵基霯ED來激發(fā)具有黃色發(fā)光光譜的鈣鈦礦量子點CsPbBr1.8I1.2來實現(xiàn)高速實時可見光通信。

蘇州大學(xué)功能納米與軟物質(zhì)研究院教授馮敏強(qiáng)在“高效白光OLED材料及器件工程”。主要介紹什么做白光OLED及應(yīng)用，并從材料、合成器件的研究，把OLED的效率提高。

耶魯大學(xué)研究科學(xué)家宋杰分享了“納米孔GaN作為高反射和熔覆層的III族氮化物激光器”報告。他表示，我們制備了由納米孔狀的GaN和無孔GaN薄膜的周期結(jié)構(gòu)組成的布拉格反射層，通過4～5對的DBR層就獲得了高達(dá)99.9%的放射率，并且顯著地提高了激光二極管結(jié)構(gòu)中的光學(xué)限制因子，使得閾值材料gain降低至400cm-1，比之前報道的低了二倍，表明我們可以顯著地降低激光器的開啟閾值電流以及提高光電轉(zhuǎn)化效率。同時，我們也采用納米孔狀的GaN和無孔GaN組成的布拉格反射層引用到VCSEL結(jié)構(gòu)中，實現(xiàn)了光激射的VCSE

瑞典查爾姆斯理工大學(xué)副教授Jie SUN帶來了關(guān)于GaN光電器件CVD石墨烯透明電極研究進(jìn)展，讓與會代表拍手稱贊！ 石墨烯傳統(tǒng)上是通過石墨機(jī)械剝落制備的，且大面積單層石墨烯的制備很有挑戰(zhàn)性。為此，化學(xué)氣相沉積（CVD）在過渡金屬上石墨烯最近被發(fā)展。自2009年以來，在Chalmers我們已經(jīng)在金屬箔（Cu，Pt，Ta等）上生長了單層石墨烯，在硅襯底上蒸鍍了金屬薄膜.9-9 CH4或C2H2作為反應(yīng)物，石墨烯通過商業(yè)直冷式Aixtron系統(tǒng)生長。通過濕化學(xué)法蝕刻銅或更環(huán)保的電化學(xué)氣泡分層，石墨烯可以轉(zhuǎn)移到

中國農(nóng)業(yè)大學(xué)水利與土木工程學(xué)院教授賀冬仙做了關(guān)于光強(qiáng)和LED光譜對水培菠菜生長及品質(zhì)影響的報告。賀冬仙近10年來，以第一作者/通訊作者發(fā)表SCI/EI論文15篇，主持50萬元以上的國家/省部級科研課題9項。取得授權(quán)發(fā)明專利7項、實用新型6項和軟件著作權(quán)9項。她的創(chuàng)新性成果及其學(xué)術(shù)價值包括：（1）圍繞珍稀瀕危藥用鐵皮石斛開展了10多年以上光合生理研究，從氣體交換、電子傳遞、氣孔運動方面確立了CAM植物的環(huán)境生理研究方法，可擴(kuò)展到石斛屬、蘭科植物和其他藥用植物研究。（2）攻克了高光效人工光源、嵌入式組態(tài)化環(huán)境

英國布里斯托大學(xué)教授Martin KUBALL做了關(guān)于極限GaN射頻FETs - GaN-on-Diamond技術(shù)的報告，具體介紹了該技術(shù)的研究背景，并結(jié)合相關(guān)數(shù)據(jù)，介紹了該技術(shù)的研究成果，及未來的一些應(yīng)用領(lǐng)域。 其中，Martin KUBALL表示氮化鎵的發(fā)展勢頭很強(qiáng)勁，當(dāng)前，通訊、雷達(dá)等應(yīng)用依舊是建立在碳化硅襯底氮化鎵基礎(chǔ)上的，隨著數(shù)據(jù)化的發(fā)展，需要的能量越來越多，而碳化硅上的氮化鎵也會有局限，開發(fā)金剛石襯底是一個不錯的嘗試。Martin KUBALL詳細(xì)分享了當(dāng)前開發(fā)GaN-on-Diamon

西安電子科技大學(xué)副教授鄭雪峰介紹了新型AlGaN/GaN HEMT Fin結(jié)構(gòu)的研究報告。

廣西大學(xué)杰出教授、臺灣大學(xué)榮退教授馮哲川分享了關(guān)于Ga2O3薄膜的光學(xué)和結(jié)構(gòu)特性的研究成果。馮哲川從事于第三代半導(dǎo)體研發(fā)已二三十年, 至今編輯出版了半導(dǎo)體及顯微結(jié)構(gòu)，多孔硅，碳化硅，III族氮化物(3本)，氧化鋅，固態(tài)照明及LED 領(lǐng)域的11-本英文專著，

鄭州大學(xué)物理工程學(xué)院院長、教授單崇新介紹了高質(zhì)量金剛石的CVD生長。金剛石是自然界產(chǎn)生的最堅硬的一種材料，因為它極高的硬度，一直被當(dāng)做是打磨的工具，切割的工具等，在不同的方面都有應(yīng)用，日常生活以及工業(yè)生產(chǎn)中都能用到金剛石。除了高硬度以外，金剛石還有很多其他獨特的特點，很適合當(dāng)做半導(dǎo)體材料，比如非常高的帶隙、電壓、非常高的熱傳導(dǎo)性等，這些特點使得金剛石一直被認(rèn)為是重要的，也是非常有潛力的下一代半導(dǎo)體器件的原料。把金剛石材料轉(zhuǎn)變成金剛石器件還有很長的路要走，也需要很多高品質(zhì)的材料，這是非常基本的一步。

中國農(nóng)業(yè)大學(xué)童勤分享了通過綠光LED調(diào)節(jié)雞蛋孵化研究報告。

北京大學(xué)東莞光電研究院生物光環(huán)境研究中心副教授王永志分享了模擬自然光在農(nóng)業(yè)生產(chǎn)中的應(yīng)用主題報告。

南方科技大學(xué)副教授劉召軍在分享“可編程有源矩陣Micro-LED顯示器的設(shè)計與制作”報告中表示，Micro-LED還可以被用于微型投影儀，不僅所需光路簡單還可以大大提高整個系統(tǒng)的光利用率。Micro-LED在可穿戴器件應(yīng)用中也炙手可熱，適用于低功耗高亮度大視角的頭戴式眼鏡等應(yīng)用場景。此外，基于氮化鎵材料的Micro-LED在多種極端環(huán)境下依然能保持高度穩(wěn)定性和可靠性，這使得其在特種應(yīng)用方面前景更加廣闊。劉教授重點對介紹了 Micro-LED的電學(xué)特性和最優(yōu)化設(shè)計； 電流控制電流源設(shè)計架構(gòu)的有源選址Micr

該視頻為：日本大阪大學(xué)助理教授CHEN Chuantong主講的《SiC功率芯片貼片模組低應(yīng)力連接技術(shù)》報告。為SiC芯片的鍵合，研究了一種燒結(jié)微孔和鎢(W)薄膜的夾層結(jié)構(gòu)。芯片粘連層被設(shè)計為微孔Ag/鎢/微孔Ag以便增加粘連層厚度，從而實現(xiàn)低應(yīng)力的SiC功率模塊。Ag膏的厚度為0.1mm，而鎢的厚度分別為0.1mm和0.5mm。粘連層剪切強(qiáng)度高達(dá)60Mpa，1000次熱循環(huán)（-50-250 ℃）后仍然大于30MPa。此燒結(jié)技術(shù)最有希望應(yīng)用于高溫工作的低應(yīng)力的SiC功率模塊。 第三代半導(dǎo)體材料主要包

北京大學(xué)微電子學(xué)院陶明分享“高擊穿電壓高和低電流崩塌的常關(guān)硅基GaN MOSHEMT”新進(jìn)展報告。她主要介紹了一種無等離子體、自停止的柵刻蝕技術(shù)，在 優(yōu)化的HEMT結(jié)構(gòu)上實現(xiàn)了高性能的增強(qiáng)型GaN MOSHEMT。

SSLCHINA 2017之“生物農(nóng)業(yè)光照技術(shù)”分會上，臺灣大學(xué)教授、臺灣植物工廠首席專家方煒介紹了用于高附加值作物生產(chǎn)的人工光植物工廠。他表示，植物工廠有很高的發(fā)展?jié)摿Γ琇ED可以讓植物工廠發(fā)展的更好。

英國布魯內(nèi)爾倫敦大學(xué)的John COSMAS教授，分享了“超市5G網(wǎng)絡(luò)Radio Light服務(wù)”報告。 他對寬帶家庭網(wǎng)絡(luò)解決方案以及用于超市的5G無線網(wǎng)絡(luò)照明服務(wù)應(yīng)用的主要市場趨勢和需求做了介紹。5G無線光網(wǎng)絡(luò)（輸入/輸出寄存器裝入）超市，可以很容易地部署，因為它采用無可見光和毫米波頻譜的一部分，它是用來為購物者提供精確定位、互動架構(gòu)，訪問互聯(lián)網(wǎng)和基于云的服務(wù)，如高分辨率視頻在平板電腦。 他還表示，此次來北京其中有一個目的就是找到一家公司能夠合作，找到適合的芯片，把這樣的一個解決方案實現(xiàn)了，而且是基

大連理工大學(xué)王德君教授在“SiC MOS界面陷阱的鈍化技術(shù)及電子性能”報告中介紹了缺陷到底是什么樣子，缺陷如何去鈍化以及進(jìn)一步的研究工作進(jìn)展。并把下一步的工作和進(jìn)一步實用化的相關(guān)內(nèi)容，包括產(chǎn)業(yè)方向上的發(fā)展做了詳細(xì)介紹。并介紹了核心的鈍化技術(shù)，比較獨特，這個鈍化它的研究都是建立在它的物理技術(shù)之上，所以這個測試比較強(qiáng)。