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與功率MOS場效應(yīng)晶體管相比，驅(qū)動氮化鎵功率晶體管存在諸多困難，這些困難包括閾值電壓低、最大柵極電壓和額定柵極電壓之間的公差狹小、高轉(zhuǎn)換速率帶來的電流變化率和電壓變化率問題。現(xiàn)有的氮化鎵驅(qū)動集成電路需要外部電阻器設(shè)定上拉速度和下拉速度，這將導致印刷電路板空間和額外寄生效應(yīng)的增加?，F(xiàn)有的氮化鎵驅(qū)動集成電路的其他缺陷諸如固定的輸出電壓、無精確定時控制能力等也限制了其應(yīng)用。加拿大多倫多大學教授吳偉東分享了

加拿大多倫多大學教授吳偉東分享了《用于增強型GaN功率晶體管的智能門極驅(qū)動芯片》研究報告。吳偉東，多倫多大學電子與計算機工

山東大學教授陶緒堂做了晶體生長和β-Ga2O3表征的最新進展的報告，分享了在氧化鎵晶體生長方面的研究實踐及成果。

日本Novel Crystal Technology公司總裁Akito KURAMATA做了用于功率器件的β-Ga2O3晶體塊體和外延生長的報告，分享了其最新研究成果。

河北半導體研究所專用集成電路國家級重點實驗室高級工程師王晶晶金剛石場效應(yīng)晶體管的射頻功率性能評價的報告，結(jié)合相關(guān)的試驗數(shù)據(jù)，王晶晶介紹了P型摻雜、晶體管測試、以及利用MPCVD設(shè)備來進行金剛石薄膜的沉積，利用輕等離子體處理的方法實現(xiàn)它的P型構(gòu)造，基于金剛石等材料來制作金剛石射頻器件等研究成果。

中國科學院半導體研究所固態(tài)照明研發(fā)中心張連分享“選擇區(qū)域生長AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的n-AlGaN發(fā)射器”研究報告。 張連表示，GaN基異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（HBT）具有本征優(yōu)點，例如更高線性度，常關(guān)工作模式和更高的電流密度。然而，其發(fā)展進度緩慢。一個主要問題是由低自由空穴濃度引起的基極層的低導電性，以及外部基極區(qū)域的等離子體干蝕刻損傷。雖然一些研究人員使用選擇性區(qū)域再生來減輕基層的損害，但工作后沒有顯著的進步。最常見的因素之一是難以獲得高質(zhì)量的選擇性區(qū)域再生長基底層和發(fā)射極層。通過使用選擇

加拿大多倫多大學教授Wai Tung NG則帶來了“GaN功率晶體管的柵極驅(qū)動器集成電路”研究報告氮化鎵是一種寬能隙材料，它能夠提供與碳化硅（SiC）相似的性能優(yōu)勢，但降低成本的可能性卻更大。氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關(guān)頻率、更低的導通...