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基于大失配外延的氮化物第三代半導(dǎo)體材料與器件Nitride Semiconductor Materials and Devices Based on Large Mismatch Epitaxy沈波北京大學(xué)理學(xué)部副主任、特聘教授SHEN Bo Deputy Deanand Distinguished Professorof Facultyof Science, Peking University

面向AR微顯示應(yīng)用的超小尺寸氮化物Micro-LED研究Study on ultra-small III-nitride Micro-LEDs for AR applications汪萊清華大學(xué)信息電子工程系光電子研究所所長WANG LaiInstitute of Information Optoelectronic Technology, Department of Electronic Engineering, Tsinghua University

氮化物的范德華外延：基底結(jié)構(gòu)、多性能控制和紫外光電器件應(yīng)用Van der Waals Epitaxy of Nitrides: Substrate Construction, Multi-Properties Control and Ultraviolet Optoelectronic Device Application孫曉娟中科院長春光機所研究員SUN XiaojuanProfessor of Changchun Institute of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Academy of Sciences

定量陰極發(fā)光CL技術(shù)在氮化物半導(dǎo)體中的應(yīng)用Application of Quantitative Cathodoluminescence Technology in Nitride Semiconductors劉兵武北京正通遠(yuǎn)恒科技有限公司總經(jīng)理Stephen LiUGeneral Manager of Beijing HONOPROF Sci.Tech. Ltd

當(dāng)前，人們對于綠色、環(huán)保、安全的重視度在不斷的提高，隨著全球化加速發(fā)展，公共衛(wèi)生風(fēng)險對人口流動和經(jīng)濟活動造成前所未有的限制，防范和化解重大疫情和突發(fā)公共衛(wèi)生風(fēng)險的重要性不言而喻?；诘谌雽?dǎo)體氮化鎵材料的紫外LED光源具有節(jié)能環(huán)保、壽命長、開啟速度快、輻射強度可控、光譜可定制等優(yōu)勢，成為維護公共衛(wèi)生安全的重要力量。紫外LED是半導(dǎo)體光電產(chǎn)業(yè)發(fā)展的新藍(lán)海，雙碳戰(zhàn)略也給包括紫外LED產(chǎn)業(yè)在內(nèi)的綠色環(huán)保節(jié)能產(chǎn)

第三代半導(dǎo)體材料在不同領(lǐng)域的應(yīng)用非常廣泛，其中，LED可以說是其第一個較成熟的應(yīng)用突破口，伴隨著元宇宙等新時代的展開，Micro-LED顯示應(yīng)用又迎來了一波新的發(fā)展機遇，作為應(yīng)用的支撐，技術(shù)的發(fā)展水平非常重要。張榮教授分享了其帶領(lǐng)的團隊在氮化物半導(dǎo)體基顯示技術(shù)方面的最新研究及成果。報告結(jié)合Micro-LED的優(yōu)勢與挑戰(zhàn)，從外延結(jié)構(gòu)設(shè)計、芯片制備、全彩化方案、系統(tǒng)集成、納米LED等方面詳細(xì)分享了團隊最新的多個研究發(fā)現(xiàn)和研究

以氮化鎵、氮化鋁為代表的Ⅲ族氮化物寬禁帶半導(dǎo)體是研制短波長光電子器件和高頻、高功率電子器件的核心材料體系。由于缺少高質(zhì)量、低成本的同質(zhì)GaN和AlN襯底，氮化物半導(dǎo)體主要通過異質(zhì)外延，特別是大失配異質(zhì)外延來制備。由此導(dǎo)致的高缺陷密度、殘余應(yīng)力成為當(dāng)前深紫外發(fā)光器件、功率電子器件等氮化物半導(dǎo)體器件發(fā)展的主要瓶頸，影響了材料和器件性能的提升。沈波教授在報告中，結(jié)合氮化物半導(dǎo)體面臨的大失配外延生長問題、詳細(xì)分

面向氮化物全彩顯示的InGaN基紅光Mini/Micro-LED研究陳兆營，盛博文，劉放，李鐸，袁澤興，葛惟昆，沈波，梁文驥，趙春雷，閆龍，Jason Hoo，郭世平，王新強*北京大學(xué)

Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體光電子器件的幾個科學(xué)問題張榮--廈門大學(xué)校長、教授

《寬禁帶氮化物半導(dǎo)體紫外探測器研究》作者：蔣科，孫曉娟，郭龍，張山麗，陳雨軒，黎大兵單位：中國科學(xué)院長春光學(xué)精密機械與物理研究所

《III族氮化物極性調(diào)控在光電子及電力電子器件中的新應(yīng)用》作者：郭煒，陳荔，徐厚強，戴貽鈞，林偉，康俊勇, 葉繼春單位：中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所，廈門大學(xué)

《基于III族氮化物的深紫外光電轉(zhuǎn)換器件的研究》作者：楚春雙，張勇輝，高元斌，杭升，黃福平，張紫輝單位：河北工業(yè)大學(xué)省部共建電工裝備可靠性與智能化國家重點實驗室，河北工業(yè)大學(xué)電子信息工程學(xué)院

《氮化物異構(gòu)外延》作者：劉志強，高鵬，伊?xí)匝?，閆建昌，魏同波，王軍喜，劉忠范，李晉閩單位：中科院半導(dǎo)體所，北京大學(xué)，北京石墨烯研究院

《二維材料上氮化物半導(dǎo)體準(zhǔn)范德華外延界面調(diào)控研究》作者：劉放，王濤，張智宏，申彤，楊懷遠(yuǎn)，盛博文，榮新，陳兆營，劉開輝，李新征，沈波，王新強單位：北京大學(xué)

《寬禁帶氮化物半導(dǎo)體紫外探測器研究》作者：蔣科，孫曉娟，郭龍，張山麗，陳雨軒，黎大兵單位：中國科學(xué)院長春光學(xué)精密機械與物理研究所，中國科學(xué)院大學(xué)材料科學(xué)與光電工程中心

《氮化物半導(dǎo)體自旋調(diào)控及其器件應(yīng)用》作者：吳雅蘋，宋安柯，吳啟鵬，林滌，李煦，吳志明，康俊勇單位：廈門大學(xué)物理系

《范德華外延氮化物異質(zhì)結(jié)構(gòu)與光電集成》作者：寧靜，張進成，郝躍單位：西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院

《量子點/氮化物半導(dǎo)體集成結(jié)構(gòu)的Micro-LED器件制備與應(yīng)用》作者：劉斌，許非凡，余俊馳，陶濤，陸海，陳敦軍，張榮單位：南京大

《寬禁帶III族氮化物中點缺陷單光子發(fā)射的理論研究》作者：石芝銘，臧行，齊占斌，孫曉娟，黎大兵單位：中科院長春光學(xué)精密機械

中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）有限公司副總裁MOCVD產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理郭世平帶來了《氮化物深紫外LED生產(chǎn)型MOCVD機臺設(shè)計及外延生長的挑