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  • 國(guó)科盈睿醫(yī)療總經(jīng)理崔
    光在慢病干預(yù)中的應(yīng)用研究崔錦江蘇州國(guó)科盈睿醫(yī)療科技有限公司總經(jīng)理、中國(guó)科學(xué)院蘇州生物醫(yī)學(xué)工程技術(shù)研究所研究員CUI JinjiangGeneral Manager of INGRAY, Professor of Suzhou Institute of Biomedical Engineering and Technology, CAS
    94900
    guansheng2023-05-19 09:19
  • 上?？萍即髮W(xué)信息學(xué)院
    基于氮化鎵的CRM圖騰柱PFC整流器的無(wú)傳感器電流過(guò)零檢測(cè)技術(shù)王浩宇上?？萍即髮W(xué)信息學(xué)院長(zhǎng)聘副教授、研究員WANG HaoyuAssociate Professor of ShanghaiTech University
    113600
    guansheng2023-05-19 09:09
  • 錦浪科技技術(shù)研究中心
    SiC功率器件在光伏逆變器中的應(yīng)用進(jìn)展Application progress of SiC power devices in photovoltaic inverters劉保頌錦浪科技技術(shù)研究中心總監(jiān)LIU Baosong Technical director of Ginlong Technologies co.,ltd
    131500
    guansheng2023-05-19 09:07
  • 江蘇第三代半導(dǎo)體研究
    高性能GaN-on-GaN材料與器件的外延生長(zhǎng)High output power and bandwidth of c-plane GaN-on-GaN micro-LED for high-speed visible light communication王國(guó)斌江蘇第三代半導(dǎo)體研究院研發(fā)部負(fù)責(zé)人WANG GuobinSenior Project ManagerHead of RD Dept of Jiangsu Institute of Advanced Semiconductors
    130700
    guansheng2023-05-19 08:56
  • 武漢大學(xué)工業(yè)科學(xué)研究
    無(wú)損表征氮化鎵外延熱物性的瞬態(tài)熱反射技術(shù)Transient thermoreflectance technique for non-invasively characterizing the thermal properties of GaN epitaxial wafer袁超武漢大學(xué)工業(yè)科學(xué)研究院研究員YUAN ChaoProfessor of The Institute of Technological Sciences, Wuhan University
    121200
    guansheng2023-05-19 08:53
  • 北京大學(xué)副教授許福軍
    AlGaN基低維量子結(jié)構(gòu)外延和電導(dǎo)率調(diào)控研究Study on the epitaxy and conductivity regulation of AlGaN based low dimensional quantum structures許福軍北京大學(xué)物理學(xué)院副教授Xu Fujun - Associate Professor, Peking University
    121900
    guansheng2023-05-19 08:51
  • 廈門大學(xué)李澄：鈣鈦礦
    鈣鈦礦中離子遷移的實(shí)時(shí)觀測(cè)及其對(duì)LED及電池器件穩(wěn)定性的影響研究Real-time Observation of Ion Migration in Perovskite LED and Its Influence on Device Stability李澄廈門大學(xué)微電子與集成電路系副主任 副教授LI ChengAssociate Professor, Department of Microelectronics and Integrated Circuits, Xiamen University
    78200
    guansheng2023-05-19 08:41
  • 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所研
    平片藍(lán)寶石襯底上高質(zhì)量AlN材料MOCVD外延生長(zhǎng)High quality AlN growth on flat sapphire at relative low temperature by MOCVD趙德剛中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所研究員ZHAO DegangProfesor of Institute of Semiconductors, CAS
    73200
    guansheng2023-05-18 16:19
  • 中國(guó)農(nóng)業(yè)科學(xué)院都市農(nóng)
    《無(wú)人植物工廠作物育種加速器》Unmanned plant factory crop breeding accelerator王森中國(guó)農(nóng)業(yè)科學(xué)院都市農(nóng)業(yè)研究所副研究員 、骨干專家WANG SenProfessor of Institute of Urban Agriculture, CAAS
    44300
    guansheng2023-05-18 11:39
  • 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究
    當(dāng)前，人們對(duì)于綠色、環(huán)保、安全的重視度在不斷的提高，隨著全球化加速發(fā)展，公共衛(wèi)生風(fēng)險(xiǎn)對(duì)人口流動(dòng)和經(jīng)濟(jì)活動(dòng)造成前所未有的限制，防范和化解重大疫情和突發(fā)公共衛(wèi)生風(fēng)險(xiǎn)的重要性不言而喻?；诘谌雽?dǎo)體氮化鎵材料的紫外LED光源具有節(jié)能環(huán)保、壽命長(zhǎng)、開啟速度快、輻射強(qiáng)度可控、光譜可定制等優(yōu)勢(shì)，成為維護(hù)公共衛(wèi)生安全的重要力量。紫外LED是半導(dǎo)體光電產(chǎn)業(yè)發(fā)展的新藍(lán)海，雙碳戰(zhàn)略也給包括紫外LED產(chǎn)業(yè)在內(nèi)的綠色環(huán)保節(jié)能產(chǎn)
    211800
    guansheng2022-09-10 15:45
  • 中國(guó)科學(xué)院北京納米能
    寬禁帶材料具有非中心對(duì)稱的晶體結(jié)構(gòu)，因而表現(xiàn)出顯著的壓電特性，長(zhǎng)期以來(lái)這些材料中壓電極化電荷和半導(dǎo)體特性的耦合過(guò)程被忽略。近年來(lái)對(duì)于壓電電子學(xué)和壓電光電子學(xué)的基礎(chǔ)及應(yīng)用研究取得了快速地發(fā)展。多種功能材料中的壓電電子學(xué)和壓電光電子學(xué)的基本效應(yīng)得到了系統(tǒng)深入地研究，相關(guān)的理論體系得以建立，諸多壓電電子學(xué)和壓電光電子學(xué)器件也被設(shè)計(jì)研發(fā)。會(huì)上，王中林院士帶來(lái)了壓電學(xué)理論與研究成果的分享，報(bào)告結(jié)合具體的數(shù)據(jù)
    204300
    guansheng2022-09-10 15:42
  • 中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技
    常見(jiàn)的氮化鎵器件為在異質(zhì)襯底上長(zhǎng)氮化鎵外延層制作成半導(dǎo)體器件。但由于使用的是異質(zhì)襯底，材料之間存在著晶格失配與熱失配導(dǎo)致外延材料位錯(cuò)密度比較高，阻礙了相關(guān)器件性能的提升及其穩(wěn)定性。采用氮化鎵單晶襯底實(shí)現(xiàn)同質(zhì)外延是提高氮化鎵外延層晶體質(zhì)量進(jìn)而提高氮化鎵器件的主要途徑。劉宗亮博士在報(bào)告中結(jié)合GaN材料生長(zhǎng)制備的主要方法及挑戰(zhàn)，GaN單晶制備的主要方法與特點(diǎn)以及國(guó)際上GaN單晶生長(zhǎng)研究進(jìn)展等，分享了GaN單晶襯底生
    137600
    guansheng2022-09-09 15:53
  • 山東大學(xué)徐現(xiàn)剛教授：
    半導(dǎo)體激光器的理論和實(shí)踐都取得巨大成果。近年來(lái),GaAs基大功率半導(dǎo)體激光器憑其優(yōu)勢(shì)，在眾多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。但是GaAs基大功率半導(dǎo)體激光器仍面臨著功率不足、發(fā)熱量大及光束質(zhì)量差的問(wèn)題。光電性能差是限制其應(yīng)用的關(guān)鍵問(wèn)題，如何進(jìn)一步提高激光器的光電性能是半導(dǎo)體激光器面臨的挑戰(zhàn)。朱振博士在報(bào)告中，詳細(xì)分享了GaAs半導(dǎo)體激光器關(guān)鍵技術(shù)及最新研究進(jìn)展，報(bào)告指出基于GaAs襯底的6x x（635-690），8 x x（780-880），9 x x
    221900
    guansheng2022-09-09 15:50
  • 南京大學(xué)葉建東：氧化
    氧化鎵基雙極型異質(zhì)結(jié)功率器件研究葉建東*，鞏賀賀，周峰，郁鑫鑫，徐尉宗，任芳芳，顧書林，陸海，張榮，鄭有炓南京大學(xué)
    74800
    guansheng2022-09-02 16:02
  • 湖北大學(xué)陳興馳：基于
    基于n-ZnO/n-Ga2O3/p-GaN異質(zhì)結(jié)與pn結(jié)耦合增強(qiáng)型自驅(qū)動(dòng)紫外探測(cè)器研究陳興馳，陳劍，樊啟賢，毛佳興，張忠輝，許雅俊，盧寅梅，何云斌*湖北大學(xué)
    77200
    guansheng2022-09-01 16:22
  • 南京大學(xué)汪正鵬：NiO/
    NiO/-Ga2O3p+-n異質(zhì)結(jié)二極管深能級(jí)缺陷研究汪正鵬，鞏賀賀，郁鑫鑫，葉建東*，顧書林，任芳芳，張榮，鄭有炓南京大學(xué)
    64500
    guansheng2022-09-01 16:20
  • 大連理工大學(xué)張赫之：
    兩步法在藍(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)高質(zhì)量-Ga2O3厚膜的研究張赫之，張嵩，董增印，張文輝，程麗媛，梁紅偉*大連理工大學(xué)中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所
    78000
    guansheng2022-09-01 16:19
  • 山東大學(xué)賈志泰：大尺
    大尺寸高質(zhì)量氧化鎵單晶生長(zhǎng)及性能研究穆文祥，李陽(yáng)，賈志泰*，陶緒堂山東大學(xué)
    91600
    guansheng2022-09-01 16:18
  • 湖北大學(xué)何云斌：Ga2O
    Ga2O3三元合金設(shè)計(jì)及其日盲紫外光電探測(cè)器研究王其樂(lè)，瞿秋琳，陳劍，黎明鍇，盧寅梅，何云斌*湖北大學(xué)
    97900
    guansheng2022-09-01 16:16
  • 中科院合肥物質(zhì)科學(xué)研
    一種基于寬禁帶半導(dǎo)體材料的微孔陣列同位素電池張佳辰，韓運(yùn)成*，王曉彧，何厚軍，任雷，李桃生中國(guó)科學(xué)院合肥物質(zhì)科學(xué)研究院中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)湖北科技學(xué)院
    54300
    guansheng2022-09-01 16:11
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