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特阿卜杜拉國王科技大學的Kazuhiro OHKAWA教授介紹了《AlGaN 材料MOCVD生長優(yōu)化和反應器設計》研究報告。報告中，在較寬的壓力、Al /（Ga + Al）比例和溫度范圍內成功仿真AlGaN生長?？紤]到適量聚合物的形成，仿真中AlGaN的生長速率和組分與實驗中的非常一致。這一技術使我們有可能優(yōu)化氮化物MOCVD并設計升級反應器。

西安電子科技大學趙子越博士分享了《基于氮化鈦源極擴展技術的常關型氟離子處理的AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管（fT/fmax=61GHz/130GHz）》主題報告。他介紹說，在SiC襯底上實現了高性能的柵長為0.1um的常關型薄勢壘AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管器件，采用氟離子注入技術并結合氮化鈦源極擴展技術實現了高性能的常關型器件，其閾值電壓達到0.6V，飽和電流達到845mA/mm@Vgs=3V ，峰值跨導達到412mS/mm，電流截止頻率達到61GHz，最大

挪威科學技術大學教授、挪威科學技術院院士、挪威Crayonano AS創(chuàng)始人兼首席技術官Helge WEMAN帶來以石墨烯為基底和透明電極的AlG

日本名城大學副教授Motoaki IWAYA 帶來了關于基于AlGaN 激光的發(fā)展現狀的報告。

挪威科學技術大學教授，挪威科學技術院院士Helge WEMAN帶來了題為采用石墨烯襯底和透明底部電極的AlGaN納米線外延 UV LED的主題

日本德島大學教授、西安電子科技大學特聘教授敖金平分享了《常關型AlGaN/GaN HFET功率器件的發(fā)展》技術報告。敖金平博士1989年畢

極智報告|日本理化所量子光電設備實驗室主任兼首席科學家Hideki HIRAYAMA：高效率AlGaN深紫外LED的研究進展 更多精彩報告，敬請點擊頁面頂端下載極智頭條APP。

極智報告|華中科技大學張偉：一種新的AlGaN基深紫外LED光提取效率和可靠性的新方法

南京電子器件研究所高級工程師吳少兵做了W波段AlGaN/GaN MMIC 功率放大器的報告。圍繞高輸出功率的W波段AlGaN/GaN MMIC 功率放大器，吳少兵詳細介紹了器件技術與制造工藝 、MMIC設計、MMIC的表征等內容，介紹了一種采用Lange橋耦合及微帶匹配的平衡式4級功率放大器。器件采用電子束直寫工藝在高Al含量的AlGaN/GaN HEMT外延結構上制備了柵長100nm的“T”型柵結構以及最新成果。 吳少兵一直從事固態(tài)微波毫米波器件的研發(fā)工作。作為項目負責人，主持開發(fā)了基于0.1um G

西安電子科技大學副教授鄭雪峰介紹了新型AlGaN/GaN HEMT Fin結構的研究報告。

中國科學院半導體研究所固態(tài)照明研發(fā)中心張連分享“選擇區(qū)域生長AlGaN/GaN異質結雙極晶體管的n-AlGaN發(fā)射器”研究報告。 張連表示，GaN基異質結雙極晶體管（HBT）具有本征優(yōu)點，例如更高線性度，常關工作模式和更高的電流密度。然而，其發(fā)展進度緩慢。一個主要問題是由低自由空穴濃度引起的基極層的低導電性，以及外部基極區(qū)域的等離子體干蝕刻損傷。雖然一些研究人員使用選擇性區(qū)域再生來減輕基層的損害，但工作后沒有顯著的進步。最常見的因素之一是難以獲得高質量的選擇性區(qū)域再生長基底層和發(fā)射極層。通過使用選擇

中國科學院微電子研究所研究員黃森分享“基于超薄壁壘AlGaN / GaN 異質結構的常關型GaN MIS-HEMTs制造”報告。 中國科學院微電子研究所研究員黃森表示，超薄勢壘（UTB）AlGaN / GaN異質結用于制造常關斷型GaN基MIS-HEMT。通過低壓化學氣相沉積（LPCVD）生長的SiNx鈍化膜，有效地減少了超薄勢壘（UTB） Al0.22Ga0.78N（5nm）/ GaN異質結構中2維電子氣體（2DEG）的薄層電阻。制造的Al2O3 / AlGaN / GaN MIS-HEMT表現出

挪威科學技術大學教授，挪威科學技術院院士Helge WEMAN 介紹了石墨烯/玻璃上AlGaN納米線倒裝紫外LED生長。2005年以來，Helge WEMAN在NTNU領導著一個科研小組研究用于光電應用程序的iii-v族半導體納米線和石墨烯。2012年6月........