半導體產業(yè)網獲悉，工研院日前宣布，一方面與晶圓制造龍頭臺積電合作開發(fā)世界前瞻的自旋軌道扭矩磁性存儲器（Spin Orbit Torque Magnetoresistive Random Access Memory，SOT-MRAM）陣列芯片，另一方面攜手陽明交大研發(fā)出工作溫度橫跨近400度的新興磁性存儲器技術。

 

工研院表示，這項新興磁性存儲器技術，已在全球半導體領域頂尖“超大型積體技術及電路國際會議”（Symposiumon VLSI Technology and Circuits）發(fā)表相關論文，可望加速產業(yè)躋身下一代存儲器技術領先群。

 

制程微縮是在半導體先進制程的重要趨勢，其中磁阻式隨機存取存儲器（MRAM）具有可微縮至22納米以下的潛力，并擁有高讀寫速度、低耗電，斷電后仍可保持資料特性，特別適用于嵌入式存儲器的新興領域。

 

工研院電子與光電系統(tǒng)所所長張世杰表示，MRAM有媲美靜態(tài)隨機存取存儲器（Static Random Access Memory；SRAM）的寫入、讀取速度，兼具快閃存儲器非揮發(fā)性，近年來已成為半導體先進制程、下一代存儲器與運算的新星。

 

張世杰指出，存儲器若在高寫入速度的前提下，使用的電壓電流越小，代表效率越高，工研院攜手臺積電共同發(fā)表具備高寫入效率與低寫入電壓SOT-MRAM技術，并達成0.4納秒高速寫入、7兆次讀寫的高耐受度。

 

張世杰分享，這比歐洲最大的半導體研究機構比利時微電子研究中心（Interuniversity Microelectronics Centre，imec）多100倍，還有超過10年資料儲存能力等特性，未來可整合成先進制程嵌入式存儲器，應用在AI人工智能、車用電子、高效能運算芯片等領域具有極佳的前景。

 

另一方面，工研院與陽明交大今年也在VLSI共同發(fā)表新興磁性存儲器的高效能運作技術，優(yōu)化自旋轉移矩磁性存儲器（Spin-Transfer-Torque MRAM，STT-MRAM）的多層膜與元件，提高寫入速度、縮短延遲、降低寫入電流與增高使用次數(shù)等特色。