9月26-28日，“2025新一代半導體晶體材料技術及應用大會”將于云南昆明舉辦。屆時，西安電子科技大學集成電路學部助理研究員陶鴻昌將受邀出席論壇，并帶來《氧化鎵異質(zhì)外延成核調(diào)控及肖特基二極管（SBD）勢壘均勻性研究》的主題報告，敬請關注！ 

嘉賓簡介

陶鴻昌，助理研究員，博士。2018年與2023年分別獲得西安電子科技大學學士學位與博士學位，2024年至今于西安電子科技大學從事博士后研究。主要從事高質(zhì)量氮化物異質(zhì)外延及氧化鎵研究，在外延機理，高質(zhì)量外延新方法以及高效率氮化物光電器件結構設計及制備方面取得多項成果。發(fā)表SCI論文三十余篇，包括IEEE TED，IEEE EDL，APL，Optics Express，F(xiàn)undamental Research等多項領域旗艦刊物，申請國家發(fā)明專利20余項。主持國家自然科學基金青年項目，國家博士后資助計劃項目，中國博士后科學基金面上資助項目，中央高?；究蒲袠I(yè)務費；參與國家重點研發(fā)計劃，國家重大科技專項等多項國家級項目。相關研究成果獲得諾貝爾獎得主天野浩，IEEE Fellow，中科院院士等國內(nèi)外知名專家學者的多次正面引用。 

單位簡介

西安電子科技大學寬禁帶半導體研究團隊以郝躍院士為首席科學家，依托寬禁帶半導體與集成技術全國重點實驗室，寬禁帶半導體國家工程研究中心，先后獲得國家首批國防科技創(chuàng)新團隊、西安電子科技大學優(yōu)秀創(chuàng)新團隊、全國高校黃大年式教師團隊等稱號。團隊長期從事寬禁帶半導體材料與器件、微納米半導體器件、與高可靠集成電路芯片等科學研究。近年來牽頭獲得了國家科技進步一等獎1項，國家技術發(fā)明二等獎2項，國家科技進步二等獎1項，陜西省最高科學技術獎1項，核心技術成果已在國家重大工程中成功應用。團隊以解決國家重大需求為己任，堅持愛國奉獻、立德樹人、科教興國的初心使命，開拓進取，勇攀寬禁帶半導體科技高峰。 

報告前瞻

報告題目：氧化鎵異質(zhì)外延成核調(diào)控及肖特基二極管（SBD）勢壘均勻性研究

報告摘要：氧化鎵（β-Ga?O?）作為一種新興的超寬禁帶半導體材料，近年來在功率電子和深紫外光電探測器等領域引起了廣泛關注。其禁帶寬度約為4.8 eV，對應日盲紫外波段（200–280 nm），具有高擊穿電場（約8 MV/cm）、優(yōu)異的熱穩(wěn)定性和化學穩(wěn)定性，是制備高耐壓、低損耗功率器件和高靈敏度紫外探測器的理想材料。此外，β-Ga?O?可通過熔體法生長出大尺寸單晶襯底，具備低成本、可擴展的優(yōu)勢。因此，氧化鎵被認為是繼硅、GaN、碳化硅之后，下一代功率與光電器件的重要候選材料，具有廣闊的應用前景和研究價值。為了實現(xiàn)高質(zhì)量并進一步降低β-Ga?O?外延層的成本，基于異質(zhì)外延獲取β-Ga?O?外延層是極具潛力的方式。然而，在異質(zhì)襯底上實現(xiàn)高質(zhì)量β-Ga?O?薄膜仍面臨重大挑戰(zhàn)。β-Ga?O?的六重旋轉對稱性導致其在異質(zhì)襯底上形成多種晶粒，產(chǎn)生扭曲和傾斜等晶體缺陷，且初始生長的隨機成核會導致晶粒無序，難以合并。針對位錯瓶頸，本報告中提出采用成核調(diào)控實現(xiàn)誘導后的有序成核以大幅降低β-Ga?O?的位錯密度，并基于此異質(zhì)外延薄膜制備出了高性能日盲紫外探測器，驗證了材料的優(yōu)異特性。此外，在β-Ga?O?基肖特基已被證明具有高耐壓，低功率損耗等優(yōu)勢，在下一代功率及射頻電子器件的應用中具有廣闊的前景。目前，對于高功函數(shù)金屬（如Ni、Pt、Pd）與β-Ga?O?之間的勢壘不均勻性，已有基于熱電子發(fā)射理論的解釋。然而，對于低功函數(shù)金屬（如鎢W）與β-Ga?O?之間的勢壘不均勻性，尚缺乏系統(tǒng)研究。因此本報告中還系統(tǒng)研究了以低功函數(shù)W/Au為肖特基金屬的垂直結構β-Ga?O?肖特基勢壘二極管的電學特性及其勢壘不均勻性。通過電容-電壓（C-V）特性、正向電流密度-電壓（J-V）特性以及反向擊穿電壓（BV）測試，評估了器件性能，并解釋了勢壘高度和理想因子的溫度依賴性，且發(fā)現(xiàn)退火處理可有效降低勢壘高度波動，為高可靠的氧化鎵SBD提供了新的思路。

附會議信息： 

【會議時間】 2025年9月26-28日

【會議地點】云南·昆明 

【指導單位】

  第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）

  中關村半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）

【主辦單位】

  云南臨滄鑫圓鍺業(yè)股份有限公司

 極智半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（www.ppsjj.cn）

 半導體照明網(wǎng)(www.china-led.net)

 第三代半導體產(chǎn)業(yè)

【承辦單位】

云南鑫耀半導體材料有限公司

北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司

【支持單位】

賽迪智庫集成電路研究所

 中國科學院半導體研究所

 云南大學

 山東大學

 云南師范大學

 昆明理工大學

 晶體材料全國重點實驗室

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【關鍵材料】

1、鍺、硅、砷化鎵、磷化銦等半導體材料生長與加工關鍵技術、器件工藝及應用研究；

2、氮化鎵、碳化硅等第三代半導體材料生長與加工關鍵技術、器件工藝及應用研究；

3、氮化鋁、金剛石、氧化鎵等超寬禁帶半導體材料生長與加工關鍵技術、器件工藝及應用研究；

【主要方向】

1.化合物半導體單晶與外延材料

（砷化鎵，磷化銦，氮化鎵，碳化硅，氮化鋁，氧化鎵，氮化硼，藍寶石，鈮酸鋰等晶體、外延生長及模擬設計等）

2. 硅、高純鍺及鍺基材料

（大硅片生長及及應用，直拉法或區(qū)熔法等單晶生長，原料提純，GeSi、GeSn、GeC 等多元單晶薄膜，切片與機械拋光，摻雜調(diào)控離子注入等） 

3.高純金屬、原輔料制備及晶體外延生長與加工關鍵裝備

（高純前驅(qū)體，高純試劑，高純氣體，高純粉體， 長晶爐，MOCVD,  MBE, LPE，PVT 等外延生長裝備，Mo源，MBE 源， 石墨，切割，研磨及拋光設備與材料，檢測設備等）

4.測試評價及AI for Science

（AI 驅(qū)動的測試評價革新， 缺陷工程與摻雜策略、晶體生長智能調(diào)控、缺陷實時檢測與修復，多尺度建模，綠色制造優(yōu)化 等）

5.光電子器件工藝與應用

（發(fā)光二極管，激光二極管，光電探測器件，太陽能電池，照明與顯示，激光雷達，光通信，量子技術等）

6.通訊射頻器件工藝與應用

（功率放大器，低噪聲放大器，濾波器，開關器件，移動通信，衛(wèi)星通信，低空飛行器，無人機，射頻能量等）

7.能源電子及應用

（風電&光伏&儲能新能源，電動汽車，數(shù)據(jù)中心，工業(yè)電源，電機節(jié)能，軌道交通，智能電網(wǎng)，航空航天，工業(yè)控制，變頻家電，消費電子，儀器儀表等）

8.綠色廠務及質(zhì)量管控

（潔凈廠房，高純水制備，化學品供應，特氣供應，廢氣處理及排放，廢液處理，大宗氣體供應及質(zhì)量管控等）

【程序委員會】

大會主席：惠峰 （云南鍺業(yè)）

副主席：陳秀芳（山東大學）、趙璐冰（CASA)

委員：趙德剛（中科院半導體所）、康俊勇（廈門大學）、 徐寶強（昆明理工）、皮孝東（浙江大學）、耿博（CASA)、王軍喜（中科院半導體所）、孫錢（中科院蘇州納米所）、王垚浩（南砂晶圓)、 涂潔磊（云師大）、王宏興（西交大）、彭燕（山東大學）、李強（西交大）、寧靜（西電）、修向前（南京大學）、郭杰（云師大）、王茺（云南大學）、邱峰（云南大學）、楊杰（云南大學）、謝自力（南京大學）、葛振華（昆明理工大學）、田陽（昆明理工大學）、魏同波（中科院半導體所）、許福軍（北京大學）、徐明升（山東大學）、孫海定（中國科學技術大學）、田朋飛（復旦大學）、劉玉懷（鄭州大學）、朱振（浪潮華光）、楊曉光（中科院半導體所）、高娜（廈門大學）、陳飛宏（云南鍺業(yè)）、康森（天通控股）、解楠（賽迪研究院 )、房玉龍（中電科十三所）、鄧家云（昆明理工大學）、李寶學（云鍺紅外） ......等

【日程安排】

【擬參與單位】

中科院半導體所、鑫耀半導體，南砂晶圓，藍河科技，天通控股，中電科十三所，南京大學，廈門大學，士佳光子，云鍺紅外，昆明理工大學，西安電子科技大學，中科院物理所，中電科四十八所，陜西源杰，九峰山實驗室，中微公司，矢量集團，晶盛機電，連科半導體，晶澳太陽能  美科太陽能 高景太陽能   中研科精密 華夏芯智慧光子，國聯(lián)萬眾，凝慧電子，晶湛半導體，英諾賽科，中光睿華，連城數(shù)控，云南大學，阿特斯陽光電力，山東大學，云南師范大學，中科院技物所，隆基電磁， 晶鎵半導體，南砂晶圓、西安聚能超導，蘇州納維，中科院物理所，浙江大學，云南鍺業(yè)，通美晶體，三安光電，電子科技大學，深圳平湖實驗室，中科院長春光機所，廣東工業(yè)大學，南方科技大學， 隆基綠能，合盛硅業(yè)，中光睿華，復旦大學，中國科學技術大學， 西安交通大學，江蘇第三代半導體研究院， 光迅科技，鎵和半導體 全磊光電 新易盛  昆明物理所，科友半導體，STR，河北同光，香港科技大學，深圳納設 中科院蘇州納米所，中科院上海光機所，哈工大等等 

【活動參與】

1、注冊費：會議通票2800元；早鳥票：9月20日前注冊報名2600元；（含會議資料袋，9月27日午餐、晚宴，9月28日午餐等 ）。

2、繳費方式：

①銀行匯款

開戶行：中國銀行北京科技會展中心支行

賬 號：336 356 029 261

名 稱：北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司 

②在線注冊

掃碼注冊報名

③現(xiàn)場繳費（微信+支付寶）

【論文投稿及報告咨詢】

賈老師:18310277858，jiaxl@casmita.com 

李老師:18601994986，linan@casmita.com 

【參會參展及商務合作】

賈先生:18310277858,jiaxl@casmita.com 

張女士:13681329411,zhangww@casmita.com 

【會議酒店】

酒店名稱：昆明億壕城堡溫德姆至尊酒店

酒店地址：中國（云南）自由貿(mào)易試驗區(qū)昆明片區(qū)經(jīng)開區(qū)楓丹白露花園

協(xié)議價格：430元/晚（含雙早）

酒店預定聯(lián)系: 陳經(jīng)理，13759452505(微信同號）

郵箱：13759452505@139.com