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2025云南晶體大會(huì)前瞻|?中國(guó)科學(xué)院長(zhǎng)春光機(jī)所蔣科:基于三族氮化物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)的光憶阻器研究

日期:2025-09-15 閱讀:357
核心提示:9月26-28日,“2025新一代半導(dǎo)體晶體材料技術(shù)及應(yīng)用大會(huì)”將在云南昆明舉辦。屆時(shí),中國(guó)科學(xué)院長(zhǎng)春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所研究員蔣科將受邀出席論壇,并帶來《基于三族氮化物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)的光憶阻器研究》的大會(huì)主旨報(bào)告,敬請(qǐng)關(guān)注!

 頭圖

9月26-28日,“2025新一代半導(dǎo)體晶體材料技術(shù)及應(yīng)用大會(huì)”將在云南昆明舉辦。屆時(shí),中國(guó)科學(xué)院長(zhǎng)春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所研究員蔣科將受邀出席論壇,并帶來《基于三族氮化物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)的光憶阻器研究》的主題報(bào)告,敬請(qǐng)關(guān)注!

30-蔣  科 

嘉賓簡(jiǎn)介

蔣科,博士,研究員,博士生導(dǎo)師,主要從事寬禁帶半導(dǎo)體紫外、極紫外光電材料與器件研究,入選基金委青B、中國(guó)科協(xié)“青托”、中國(guó)科學(xué)院青促會(huì)會(huì)員、中國(guó)科學(xué)院院長(zhǎng)特別獎(jiǎng)、吉林省“優(yōu)青”(首批)、長(zhǎng)春光機(jī)所“聚光人才”計(jì)劃等,承擔(dān)國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目課題、JKW173重點(diǎn)基金等項(xiàng)目10余項(xiàng),在Light 、AM、APL等領(lǐng)域內(nèi)國(guó)際著名期刊發(fā)表學(xué)術(shù)論文60余篇,申請(qǐng)/授權(quán)發(fā)明專利60余項(xiàng),獲2023年吉林省技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)(5/10)、2021年中國(guó)半導(dǎo)體十大研究進(jìn)展等獎(jiǎng)項(xiàng)。 

單位簡(jiǎn)介

長(zhǎng)春光機(jī)所黎大兵、孫曉娟團(tuán)隊(duì),主要從事寬禁帶氮化物半導(dǎo)體材料及其光電子器件研究,涉及材料與器件物理、缺陷與摻雜調(diào)控、結(jié)構(gòu)外延生長(zhǎng)、LED及光電探測(cè)器件制備及應(yīng)用等方面。研究團(tuán)隊(duì)專注寬禁帶氮化物半導(dǎo)體領(lǐng)域10余年,在高質(zhì)量AIN材料制備、氮化物缺陷演變規(guī)律、高效率超寬禁帶氮化物p型摻雜新機(jī)制、高性能光電器件研制方面均取得了多項(xiàng)創(chuàng)新成果。近年來在Adv. Mater.、Light Sci. Appl.、Phys. Rev. Lett.等期刊發(fā)表論文100余篇,申請(qǐng)國(guó)內(nèi)外發(fā)明專利80余件,主持基金委青A、青B、科技部重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃等項(xiàng)目10余項(xiàng),獲吉林省自然科學(xué)一等獎(jiǎng)、吉林省技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)等獎(jiǎng)項(xiàng)。 

報(bào)告前瞻

報(bào)告題目:基于三族氮化物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)的光憶阻器研究

報(bào)告摘要:隨著人工智能和互聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的飛速發(fā)展,對(duì)高性能計(jì)算和智能視覺系統(tǒng)的需求日益增長(zhǎng)。傳統(tǒng)的馮·諾依曼架構(gòu)在處理大規(guī)模圖像數(shù)據(jù)時(shí)面臨著數(shù)據(jù)傳輸瓶頸和高能耗等問題,限制了系統(tǒng)的效率和性能。AlScN作為一種優(yōu)秀的氮化物半導(dǎo)體鐵電材料,具有強(qiáng)剩余極化、高居里溫度以及與主流半導(dǎo)體制造工藝兼容等優(yōu)點(diǎn)。然而,由于其光敏性的限制,實(shí)現(xiàn)光控的阻態(tài)調(diào)節(jié)一直是AlScN憶阻器研究中的難點(diǎn)。本團(tuán)隊(duì)開發(fā)出一種基于AlScN/GaN異質(zhì)結(jié)的肖特基二極管型非易失性光電雙工憶阻器,結(jié)合了AlScN材料優(yōu)異的鐵電特性和GaN材料的優(yōu)異光電特性,使其在電學(xué)和光電存儲(chǔ)兩種模式下均展現(xiàn)出了卓越的性能。電存儲(chǔ)模式下,存儲(chǔ)器的電阻狀態(tài)改變?cè)从贏lScN層的鐵電極化翻轉(zhuǎn),這一過程通過影響器件的耗盡區(qū)寬度和電子傳輸勢(shì)壘高度來實(shí)現(xiàn)。研究中發(fā)現(xiàn),通過施加不同方向的偏壓,可以觸發(fā)AlScN層的鐵電極化翻轉(zhuǎn),實(shí)現(xiàn)了可編程存儲(chǔ)與讀取功能。光電存儲(chǔ)模式下,由 GaN空間電荷區(qū)的光導(dǎo)效應(yīng)和光生載流子引起的電子傳輸勢(shì)壘降低效應(yīng),可以調(diào)節(jié)施加到AlScN層的偏壓,從而改變整體器件阻態(tài)變化的臨界電壓,因此存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)窗口可以通過調(diào)節(jié)光強(qiáng)來控制。在光寫入-電讀取-電擦除的編程模式下,器件展現(xiàn)了良好的可重構(gòu)特性,該存儲(chǔ)器在純電學(xué)編程、光電混合編程模式下的邏輯運(yùn)算展示出應(yīng)用潛力。進(jìn)一步地,針對(duì)AlScN器件多阻態(tài)存儲(chǔ)調(diào)控功能,設(shè)計(jì)并開發(fā)出一種基于AlScN/p-i-n GaN異質(zhì)結(jié)的紫外光電突觸器件。利用AlScN的鐵電極化特性和GaN的優(yōu)異光電性能,基于異質(zhì)結(jié)處空穴的俘獲與解俘獲機(jī)制成功構(gòu)建了一種新型的紫外光電突觸器件。該器件不僅具備出色的非易失性存儲(chǔ)特性,開關(guān)比可達(dá)9.36×105;還能夠模擬生物視覺系統(tǒng)中的突觸功能,進(jìn)行多阻態(tài)調(diào)節(jié),如長(zhǎng)時(shí)程增強(qiáng)、對(duì)脈沖增強(qiáng)以及學(xué)習(xí)-遺忘-再學(xué)習(xí)過程。先進(jìn)AlScN存儲(chǔ)器件的開發(fā)與實(shí)現(xiàn),為未來智能計(jì)算、新型數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和先進(jìn)人工視覺系統(tǒng)的發(fā)展提供了新的技術(shù)路徑。

 附會(huì)議信息: 

【會(huì)議時(shí)間】 2025年9月26-28日

【會(huì)議地點(diǎn)】云南·昆明 

【指導(dǎo)單位】

  第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)

  中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟(CSA)

【主辦單位】

  云南臨滄鑫圓鍺業(yè)股份有限公司

 極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)(www.ppsjj.cn)

 半導(dǎo)體照明網(wǎng)(www.china-led.net)

 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

【承辦單位】

云南鑫耀半導(dǎo)體材料有限公司

北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司

【支持單位】

賽迪智庫(kù)集成電路研究所

 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所

 云南大學(xué)

 山東大學(xué)

 云南師范大學(xué)

 昆明理工大學(xué)

 晶體材料全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室

.....

【關(guān)鍵材料】

1、鍺、硅、砷化鎵、磷化銦等半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)與加工關(guān)鍵技術(shù)、器件工藝及應(yīng)用研究;

2、氮化鎵、碳化硅等第三代半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)與加工關(guān)鍵技術(shù)、器件工藝及應(yīng)用研究;

3、氮化鋁、金剛石、氧化鎵等超寬禁帶半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)與加工關(guān)鍵技術(shù)、器件工藝及應(yīng)用研究;

【主要方向】

1.化合物半導(dǎo)體單晶與外延材料

(砷化鎵,磷化銦,氮化鎵,碳化硅,氮化鋁,氧化鎵,氮化硼,藍(lán)寶石,鈮酸鋰等晶體、外延生長(zhǎng)及模擬設(shè)計(jì)等)

2. 硅、高純鍺及鍺基材料

(大硅片生長(zhǎng)及及應(yīng)用,直拉法或區(qū)熔法等單晶生長(zhǎng),原料提純,GeSi、GeSn、GeC 等多元單晶薄膜,切片與機(jī)械拋光,摻雜調(diào)控離子注入等) 

3.高純金屬、原輔料制備及晶體外延生長(zhǎng)與加工關(guān)鍵裝備

(高純前驅(qū)體,高純?cè)噭?,高純氣體,高純粉體, 長(zhǎng)晶爐,MOCVD,  MBE, LPE,PVT 等外延生長(zhǎng)裝備,Mo源,MBE 源, 石墨,切割,研磨及拋光設(shè)備與材料,檢測(cè)設(shè)備等)

4.測(cè)試評(píng)價(jià)及AI for Science

(AI 驅(qū)動(dòng)的測(cè)試評(píng)價(jià)革新, 缺陷工程與摻雜策略、晶體生長(zhǎng)智能調(diào)控、缺陷實(shí)時(shí)檢測(cè)與修復(fù),多尺度建模,綠色制造優(yōu)化 等)

5.光電子器件工藝與應(yīng)用

(發(fā)光二極管,激光二極管,光電探測(cè)器件,太陽(yáng)能電池,照明與顯示,激光雷達(dá),光通信,量子技術(shù)等)

6.通訊射頻器件工藝與應(yīng)用

(功率放大器,低噪聲放大器,濾波器,開關(guān)器件,移動(dòng)通信,衛(wèi)星通信,低空飛行器,無人機(jī),射頻能量等)

7.能源電子及應(yīng)用

(風(fēng)電&光伏&儲(chǔ)能新能源,電動(dòng)汽車,數(shù)據(jù)中心,工業(yè)電源,電機(jī)節(jié)能,軌道交通,智能電網(wǎng),航空航天,工業(yè)控制,變頻家電,消費(fèi)電子,儀器儀表等)

8.綠色廠務(wù)及質(zhì)量管控

(潔凈廠房,高純水制備,化學(xué)品供應(yīng),特氣供應(yīng),廢氣處理及排放,廢液處理,大宗氣體供應(yīng)及質(zhì)量管控等)

【程序委員會(huì)】

大會(huì)主席:惠峰 (云南鍺業(yè))

副主席:陳秀芳(山東大學(xué))、趙璐冰(CASA)

委員:趙德剛(中科院半導(dǎo)體所)、康俊勇(廈門大學(xué))、 徐寶強(qiáng)(昆明理工)、皮孝東(浙江大學(xué))、耿博(CASA)、王軍喜(中科院半導(dǎo)體所)、孫錢(中科院蘇州納米所)、王垚浩(南砂晶圓)、 涂潔磊(云師大)、王宏興(西交大)、彭燕(山東大學(xué))、李強(qiáng)(西交大)、寧?kù)o(西電)、修向前(南京大學(xué))、郭杰(云師大)、王茺(云南大學(xué))、邱峰(云南大學(xué))、楊杰(云南大學(xué))、謝自力(南京大學(xué))、葛振華(昆明理工大學(xué))、田陽(yáng)(昆明理工大學(xué))、魏同波(中科院半導(dǎo)體所)、許福軍(北京大學(xué))、徐明升(山東大學(xué))、孫海定(中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué))、田朋飛(復(fù)旦大學(xué))、劉玉懷(鄭州大學(xué))、朱振(浪潮華光)、楊曉光(中科院半導(dǎo)體所)、高娜(廈門大學(xué))、陳飛宏(云南鍺業(yè))、康森(天通控股)、解楠(賽迪研究院 )、房玉龍(中電科十三所)、鄧家云(昆明理工大學(xué))、李寶學(xué)(云鍺紅外) ......等

【日程安排】

日程

【擬參與單位】

中科院半導(dǎo)體所、鑫耀半導(dǎo)體,南砂晶圓,藍(lán)河科技,天通控股,中電科十三所,南京大學(xué),廈門大學(xué),士佳光子,云鍺紅外,昆明理工大學(xué),西安電子科技大學(xué),中科院物理所,中電科四十八所,陜西源杰,九峰山實(shí)驗(yàn)室,中微公司,矢量集團(tuán),晶盛機(jī)電,連科半導(dǎo)體,晶澳太陽(yáng)能  美科太陽(yáng)能 高景太陽(yáng)能   中研科精密 華夏芯智慧光子,國(guó)聯(lián)萬眾,凝慧電子,晶湛半導(dǎo)體,英諾賽科,中光睿華,連城數(shù)控,云南大學(xué),阿特斯陽(yáng)光電力,山東大學(xué),云南師范大學(xué),中科院技物所,隆基電磁, 晶鎵半導(dǎo)體,南砂晶圓、西安聚能超導(dǎo),蘇州納維,中科院物理所,浙江大學(xué),云南鍺業(yè),通美晶體,三安光電,電子科技大學(xué),深圳平湖實(shí)驗(yàn)室,中科院長(zhǎng)春光機(jī)所,廣東工業(yè)大學(xué),南方科技大學(xué), 隆基綠能,合盛硅業(yè),中光睿華,復(fù)旦大學(xué),中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué), 西安交通大學(xué),江蘇第三代半導(dǎo)體研究院, 光迅科技,鎵和半導(dǎo)體 全磊光電 新易盛  昆明物理所,科友半導(dǎo)體,STR,河北同光,香港科技大學(xué),深圳納設(shè) 中科院蘇州納米所,中科院上海光機(jī)所,哈工大等等 

【活動(dòng)參與】

1、注冊(cè)費(fèi):會(huì)議通票2800元;早鳥票:9月20日前注冊(cè)報(bào)名2600元;(含會(huì)議資料袋,9月27日午餐、晚宴,9月28日午餐等 )。

2、繳費(fèi)方式:

①銀行匯款

開戶行:中國(guó)銀行北京科技會(huì)展中心支行

賬 號(hào):336 356 029 261

名 稱:北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司 

②在線注冊(cè)

報(bào)名二維碼

掃碼注冊(cè)報(bào)名

③現(xiàn)場(chǎng)繳費(fèi)(微信+支付寶)

【論文投稿及報(bào)告咨詢】

賈老師:18310277858,jiaxl@casmita.com 

李老師:18601994986,linan@casmita.com 

【參會(huì)參展及商務(wù)合作】

賈先生:18310277858,jiaxl@casmita.com 

張女士:13681329411,zhangww@casmita.com 

【會(huì)議酒店】

酒店名稱:昆明億壕城堡溫德姆至尊酒店

酒店地址:中國(guó)(云南)自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)昆明片區(qū)經(jīng)開區(qū)楓丹白露花園

協(xié)議價(jià)格:430元/晚(含雙早)

酒店預(yù)定聯(lián)系: 陳經(jīng)理,13759452505(微信同號(hào))

郵箱:13759452505@139.com

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