面對AI計算需求的指數級增長，傳統(tǒng)數據中心電力架構正面臨前所未有的挑戰(zhàn), 千瓦級的供電標準早已無法匹配AI模型對能耗的極端需求，全球數據中心的供電方式將發(fā)生革命性變革。在功率電子與AI計算深度融合的關鍵節(jié)點，蘇州東微半導體股份有限公司（“東微半導體”，證券代碼：688261）與蘇州晶湛半導體有限公司（“晶湛半導體”）于10月17日聯合宣布，雙方已達成戰(zhàn)略合作，共同推進12英寸氮化鎵技術與產品的研發(fā)與應用。

 氮化鎵功率器件正處于從消費電子快充"單點爆發(fā)"向多領域擴張的轉折期。未來2-3年，在AI服務器電源、新能源汽車、人形機器人、光伏逆變器、工業(yè)電源等新興領域的需求將進入加速放量階段，尤其是AI數據中心需求愈發(fā)迫切，例如英偉達將于2027年為其下一代Rubin系列全面部署800V高壓直流（HVDC）架構。全新的高壓直流集中供電方式，高度依賴于高性能功率半導體材料的支撐，需要硅、碳化硅和氮化鎵為高壓直流系統(tǒng)提供從電網到芯片供電的全鏈路解決方案；尤其是基于氮化鎵的多相DC/DC轉換器產品，為超大規(guī)模AI數據中心提供靈活且高效的電源系統(tǒng)；同時，氮化鎵功率器件還將為人形機器人、無人機等應用帶來更高效率的電機驅動性能，提供節(jié)能高效的驅動方案。國內功率半導體技術創(chuàng)新者東微半導體與氮化鎵外延材料的技術先驅晶湛半導體合作，發(fā)揮各自優(yōu)勢，采用主流的12英寸CMOS實驗線研發(fā)12寸硅基氮化鎵HEMT晶體管，共同推進12寸硅基氮化鎵功率器件的產業(yè)化進程。此項產業(yè)技術的成功開發(fā)，不僅可以大幅降低制造成本，而且可以利用12寸先進的前后道工藝的技術，充分挖掘氮化鎵材料在高能效、高功率密度方面的潛力，使這一技術為上述應用領域提供更具成本效益和性能優(yōu)勢的解決方案。

 “協同創(chuàng)新”成為本次合作的核心關鍵詞。在半導體技術快速迭代的背景下，產業(yè)鏈上下游企業(yè)的協同創(chuàng)新顯得尤為重要。東微半導體作為功率半導體領域的創(chuàng)新者，其在器件設計與市場應用方面有著豐富經驗。晶湛半導體在氮化鎵外延材料領域擁有深厚技術積累，是全球范圍內第一家掌握12英寸硅基氮化鎵外延技術的企業(yè)。兩家企業(yè)的攜手，將打通從材料到器件工藝的關鍵技術鏈條，加速國產氮化鎵功率器件的產業(yè)化進程。雙方表示，通過本次合作，將致力于解決大尺寸氮化鎵外延材料在器件制造過程中的關鍵技術難題，包括材料與工藝的匹配優(yōu)化，可靠性測試等全流程技術開發(fā)，為國內半導體產業(yè)提供完整的解決方案。

兩家公司的高層均對合作前景充滿信心。雙方共同認為，這一合作將為國內氮化鎵產業(yè)鏈的完善和提升注入強勁動力。合作項目將分階段推進，初期專注于基礎外延工藝和器件結構工藝平臺的搭建與優(yōu)化，中期目標是在特定應用領域推出原型產品。長期來看，雙方希望建立起完整的12英寸氮化鎵技術生態(tài)系統(tǒng)，包括材料、設計、制造、封測和應用等全產業(yè)鏈環(huán)節(jié)。此次合作將結合東微半導體在功率器件設計與制造方面的豐富經驗，以及晶湛半導體在氮化鎵外延材料領域的領先技術，達到產業(yè)鏈上下游強強聯合的效果，有力推進12英寸氮化鎵技術在不久的將來成為電力電子領域的核心技術之一，推動中國第三代半導體產業(yè)的高質量發(fā)展。

蘇州東微半導體股份有限公司（證券代碼：688261）在功率半導體器件領域有著深厚的技術積累和豐富的市場經驗，產品覆蓋高壓超級結MOSFET、中低壓屏蔽柵MOSFET、超級硅MOSFET、TGBT以及SiC MOSFET等，展現了強大的器件研發(fā)能力。產品已廣泛應用于新能源汽車充電樁、5G基站電源、數據中心和算力服務器電源等領域，與12英寸氮化鎵的潛力應用市場高度重合，為未來技術落地提供了市場基礎。公司在高壓超結MOSFET等產品上已完成了從8英寸代工廠到12英寸代工廠的擴展，積累了12英寸工藝平臺迭代升級的經驗。蘇州晶湛半導體有限公司擁有國際先進的氮化鎵外延材料研發(fā)和產業(yè)化基地，是國內半導體材料領域的知識產權優(yōu)勢企業(yè)，致力于為電力電子以及微顯示等領域提供高品質氮化鎵外延材料解決方案，也是目前國際上極少數可供應12英寸硅基氮化鎵外延產品的先鋒廠商，技術實力處于國際領軍地位。