2025年11月11-14日，第十一屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）&第二十二屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）將于廈門召開。 屆時(shí)，電子科技大學(xué)教授/博導(dǎo)鄧小川將受邀出席論壇，并在Short course專題技術(shù)培訓(xùn)課程中分享《高壓碳化硅MOSFET器件性能提升技術(shù)的發(fā)展及其挑戰(zhàn)》的主題報(bào)告，敬請(qǐng)關(guān)注！

嘉賓簡(jiǎn)介

鄧小川，電子科技大學(xué)/功率集成技術(shù)實(shí)驗(yàn)室，教授/博導(dǎo)，英國(guó)華威大學(xué)訪問學(xué)者。長(zhǎng)期從事寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅功率器件的理論模型、新結(jié)構(gòu)、器件制備與可靠性研究，主持了多項(xiàng)國(guó)家級(jí)和省部級(jí)科研項(xiàng)目，多個(gè)國(guó)際學(xué)術(shù)會(huì)議的TPC成員，在半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域國(guó)際一流期刊IEEE Trans. Power Electronics、IEEE Electron Device Letters、IEEE Trans. Industrial Electronics以及本領(lǐng)域頂級(jí)會(huì)議ISPSD、ICSCRM等發(fā)表論文80余篇，授權(quán)中國(guó)發(fā)明專利30余項(xiàng)。

報(bào)告題目：高壓碳化硅MOSFET器件性能提升技術(shù)的發(fā)展及其挑戰(zhàn)

報(bào)告摘要

報(bào)告將從提升高壓碳化硅MOSFTT器件的低導(dǎo)通電阻性能出發(fā)，結(jié)合當(dāng)前國(guó)際主流廠商碳化硅功率器件的研究進(jìn)展，重點(diǎn)介紹碳化硅MOSFET器件在實(shí)現(xiàn)低損耗特性方面的研究成果以及面臨的關(guān)鍵技術(shù)挑戰(zhàn)，包括降低導(dǎo)通電阻和寄生電容所采用的技術(shù)方法及其工作原理。同時(shí)也針對(duì)碳化硅MOSFTT器件瞬態(tài)可靠性問題，從UIS、短路特性、浪涌特性、閾值電壓漂移以及宇宙射線輻射等角度介紹國(guó)內(nèi)外最新研究成果，較系統(tǒng)探討了現(xiàn)階段主流平面柵和溝槽柵碳化硅器件在瞬態(tài)極端應(yīng)力沖擊下器件失效的內(nèi)部物理機(jī)理，以及可靠性加固結(jié)構(gòu)和方案。并對(duì)低損耗碳化硅MOSFET器件未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行小結(jié)和展望。