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IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|香港科技大學張薇葭:SiC功率MOSFET有源柵極驅(qū)動器綜述

日期:2025-10-27 閱讀:387
核心提示:11月11-14日,IFWS&SSLCHINA2025 將于廈門召開。 屆時,香港科技大學教授張薇葭將受邀出席論壇,并在Short course培訓課程中分享《SiC功率MOSFET有源柵極驅(qū)動器綜述》的主題報告,敬請關(guān)注!

 2025年11月11-14日,第十一屆國際第三代半導體論壇(IFWS)&第二十二屆中國國際半導體照明論壇(SSLCHINA)將于廈門召開。 屆時,香港科技大學教授張薇葭將受邀出席論壇,并在Short course培訓課程中分享《SiC功率MOSFET有源柵極驅(qū)動器綜述》的主題報告,敬請關(guān)注!

 28-張薇葭

嘉賓簡介

張薇葭,分別于2012年、2015年和2019年獲得不列顛哥倫比亞大學和多倫多大學電氣工程學士、碩士和博士學位。2021年,加入位于科羅拉多斯普林斯的Analog Device Inc控制器IC設計小組,作為高級IC設計工程師,從事自動測試設備(ATE)應用的電源IC設計。她的學術(shù)生涯始于2025年香港科技大學電氣工程系。研究興趣廣泛,從智能電源IC、電源管理IC、集成DC-DC轉(zhuǎn)換器、智能柵極驅(qū)動器IC、人工智能輔助電源應用、封裝和熱管理、高級電源控制器。自2022年起擔任IEEE ISPSD ICD軌道的技術(shù)委員會成員。

報告摘要

有源柵極驅(qū)動器(AGD)已成為一個有前景的領(lǐng)域,通過動態(tài)調(diào)節(jié)硬開關(guān)轉(zhuǎn)換速率來提高功率MOSFET的效率和性能,實現(xiàn)效率和EMI抑制之間的校準權(quán)衡,并提供器件保護。報告將回顧碳化硅功率MOSFET的AGD拓撲結(jié)構(gòu),涵蓋分段柵極驅(qū)動策略、轉(zhuǎn)換速率調(diào)整技術(shù)和可靠性保護方案。將主要關(guān)注并聯(lián)電力系統(tǒng)中的短路保護、電流平衡和熱管理等主題。對每種方法的優(yōu)點、局限性和應用進行了比較和分析。 

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