2025年11月11-14日，第十一屆國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）&第二十二屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）將于廈門召開。 屆時，蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司董事長程凱將受邀出席論壇，并在專題技術(shù)培訓(xùn)課程（Short course）中分享《MOVPE GaN外延技術(shù)》的主題報告，敬請關(guān)注！

嘉賓簡介

程凱, 清華大學(xué)電子工程系本科碩士，比利時魯汶大學(xué)和IMEC聯(lián)合培養(yǎng)博士（2008年）。曾任IMEC GaN項目資深科學(xué)家，2012年回國創(chuàng)辦晶湛半導(dǎo)體并任總裁，致力于氮化鎵外延材料的產(chǎn)業(yè)化。程博士是業(yè)界公認(rèn)的硅上氮化鎵外延技術(shù)的開拓者之一，分別于2006年、2011年和2021年首次研制出6英寸、8英寸、12英寸GaN-on-Si外延材料，擁有非常豐富的材料生長經(jīng)驗，能夠在不同襯底上(Si/Sapphire/GaN等)實現(xiàn)高質(zhì)量GaN外延。累計申請國內(nèi)外專利近600項，已授權(quán)100余項。 

報告摘要

MOVPE（金屬有機化合物氣相外延）是制備GaN（氮化鎵）等半導(dǎo)體材料的關(guān)鍵技術(shù)，其高精度和工業(yè)化潛力，成為GaN基器件制備的核心手段，未來在柔性電子、深紫外器件等領(lǐng)域仍有拓展空間‌。仍面臨著等晶格失配等挑戰(zhàn)。報告將詳細(xì)解析MOVPE技術(shù)，分享GaN外延生長的工藝實踐，具體介紹硅基GaN外延技術(shù)解決方案、硅基GaN LED結(jié)構(gòu)生長，HEMT結(jié)構(gòu)生長等，并展望Micro-LED全彩化、300毫米硅基氮化鎵、氮化鎵/碳化硅混合系統(tǒng)等前沿發(fā)展趨勢。

關(guān)于晶湛半導(dǎo)體

蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司是由業(yè)界公認(rèn)的硅上氮化鎵外延技術(shù)的開拓者程凱博士于2012年3月回國創(chuàng)辦，致力于氮化鎵（GaN）外延材料的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，擁有國際先進(jìn)的氮化鎵外延材料研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化基地。公司在GaN (氮化鎵)外延技術(shù)領(lǐng)域已掌握多項核心技術(shù), 擁有自主知識產(chǎn)權(quán)。公司愿景是成為世界領(lǐng)先的GaN材料供應(yīng)商，晶湛半導(dǎo)體在技術(shù)、市場、項目合作、人才培養(yǎng)等各方面都取得了顯著進(jìn)步，將為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展產(chǎn)生積極的推動作用。