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第十一屆國際第三代半導(dǎo)體論壇&第二十二屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇勝利閉幕

日期:2025-11-14 閱讀:1971
核心提示:11月14日,第十一屆國際第三代半導(dǎo)體論壇&第二十二屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇于廈門閉幕。

 2025年11月14日,第十一屆國際第三代半導(dǎo)體論壇&第二十二屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇于廈門閉幕。 在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局深刻大變革的背景下,論壇以“鏈通全球 芯動未來”為主題,堅持學(xué)術(shù)與產(chǎn)業(yè)并重,著力鏈通全球第三代半導(dǎo)體智慧資源,緊跟時代產(chǎn)業(yè)發(fā)展最新脈動。

 耿總主持

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副秘書長耿博

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副秘書長耿博代表組委會介紹了本屆論壇籌辦情況據(jù)組委會初步統(tǒng)計,截至14日上午12時,共有來自國內(nèi)外1500余名代表注冊參會。論壇為期三天,包含一場大會,220余個報告,10個主題技術(shù)分論壇、3個熱點產(chǎn)業(yè)峰會,并設(shè)置了Short Course專題培訓(xùn)課程,先進半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新展(CASTAS)、POSTER展示交流,以及與海滄區(qū)聯(lián)動的廈門半導(dǎo)體“四鏈融合”對接會,“益企跑”、現(xiàn)場參觀考察等豐富的聯(lián)動活動,探索在論壇之外建立更緊密高效的資源鏈接,大會公布的2025年度中國第三代半導(dǎo)體技術(shù)十大進展也受到了業(yè)界的廣泛關(guān)注。

一等獎

二等獎

三等獎

優(yōu)秀獎

閉幕期間,美國國家工程院院士、香港科技大學(xué)特聘教授劉紀(jì)美,日本理化研究所RIKEN主任平山秀樹,瑞士洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院教授Elison Matioli,名古屋大學(xué)特聘教授岡徹, 中國電子科技集團首席科學(xué)家、中電科第五十八所原所長蔡樹軍,天津工業(yè)大學(xué)趙麗霞教授,廈門大學(xué)講座教授、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院原院長邱宇峰教授共同為本屆論壇優(yōu)秀海報獎獲得者頒發(fā)獎勵。

當(dāng)前,國際第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于技術(shù)快速迭代與市場規(guī)?;瘧?yīng)用的關(guān)鍵階段,技術(shù)突破與產(chǎn)業(yè)化加速,第三代半導(dǎo)體作為新一代半導(dǎo)體材料的典型代表,已成為全球科技競爭的戰(zhàn)略焦點。三天時間里,圍繞著化合物半導(dǎo)體射頻器件、碳化硅材料生長及應(yīng)用、氮化物材料生長及光電技術(shù)、異質(zhì)異構(gòu)集成技術(shù)及應(yīng)用、超寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)、氮化物半導(dǎo)體固態(tài)紫外技術(shù)及應(yīng)用、氮化鎵功率電子器件技術(shù)、碳化硅功率電子器件及其封裝技術(shù)、車用半導(dǎo)體創(chuàng)新合作及電源應(yīng)用、光電技術(shù)與未來顯示、Mini/Micro-led技術(shù)應(yīng)用、光品質(zhì)與健康顯示、光醫(yī)療與健康技術(shù) 等主題。來自政、產(chǎn)、學(xué)、研、用、資等LED及第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域國內(nèi)外知名專家、企業(yè)高管、科研院所高校學(xué)者代表臺上臺下展開探討,從不同的角度分享不同見解,觀點碰撞,探求技術(shù)與產(chǎn)業(yè)化難題解決之道。

耿博表示,論壇本著學(xué)術(shù)與產(chǎn)業(yè)并重,已經(jīng)成為從業(yè)者了解國際前沿技術(shù)與發(fā)展風(fēng)向的重要窗口,對國際學(xué)術(shù)和產(chǎn)業(yè)間的交流合作起著重要的紐帶作用。論壇得到了業(yè)界、學(xué)界廣泛的支持與積極參與,也感謝廈門市海滄區(qū)政府,海滄臺商投資區(qū)管委會,廈門市工信局,工行、農(nóng)行、建行及興業(yè)銀行的本地分行等金融機構(gòu),惠新廈門科技創(chuàng)新研究院對本次會議承辦工作給與的鼎力支持。

作為經(jīng)典行業(yè)盛會,歷經(jīng)近20年的成長蛻變,論壇已成為國內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)最堅定的支持和推動力量,既是產(chǎn)業(yè)發(fā)展的見證者,也是技術(shù)創(chuàng)新和半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)建設(shè)的推動者,并不斷的吸納建議,持續(xù)成長升值,面對更復(fù)雜多變的國內(nèi)外產(chǎn)業(yè)發(fā)展形勢,論壇不改初心,將秉持與時偕行的精神,繼續(xù)凝聚更多先進力量,守望產(chǎn)業(yè)的發(fā)展壯大,也真誠邀請業(yè)界同仁建言獻策,戮力同心,一起開創(chuàng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的新局面。

附:優(yōu)秀海報獎獲獎名單

一等獎:

Degradation investigation and suppression of high-power GaN-based blue laser diodes,廈門大學(xué)Enming Zhang;

二等獎:

1、Size-dependent performance of white light μLEDs for intelligent vehicle lighting and communication,復(fù)旦大學(xué)Ren Tianyang;

2、Highly Efficiency Linearly Polarized LED via Surface Plasmon Integrated with Ag Nanocone metasurface,西安交通大學(xué)Xuzheng Wang;

三等獎:

1、Influence of the Hole Transport in p-GaN on the Switching and High-Frequency Performance of p-GaN HEMTs,,北京大學(xué)zhangshuang;

2、Flexible solar blind UV detector based on hexagonal boron nitride film,西安交通大學(xué) 陳有為;

3、Full-Color Active-Matrix Micro-LED Displays Featuring Three-Dimensional Stacked Structure,南京大學(xué) Li Liangjie;

優(yōu)秀獎:

1、Simulation Study of Current Uniformity in InGaN-based Core-shell Nanowires LEDs by p-type Contact and Indium Content,廈門大學(xué)王夢童;

2、Maskless Fabrication of Color Centers in 4H-SiC for Single-Photon Sources in Quantum Photonics ,南京大學(xué)  付杰;

3、Dual-Electrode Synergistic hole-array Structured UVA-LED,北京工業(yè)大學(xué) 許昊;

4、Bottom-side cooled GaN fast and accurate calorimetric measurement of switching loss,西安電子科技大學(xué) 姜浩楠;

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