12月10日，T/CASAS 005—202X《GaN HEMT動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)試方法　多脈沖硬開(kāi)關(guān)法》（代替T/CASAS 005—2022）以及T/CASAS 021—202X《SiC MOSFET閾值電壓測(cè)試方法》（代替T/CASAS 021—2024）技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)已形成委員會(huì)草案（CD），11項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)委員會(huì)草案按照CASAS標(biāo)準(zhǔn)制定程序，反復(fù)斟酌、修改、編制而成。起草組召開(kāi)了多次正式或非正式的專題研討會(huì)，得到了很多CASAS正式成員的支持。請(qǐng)聯(lián)盟標(biāo)委會(huì)正式成員關(guān)注秘書處郵件。 

修訂標(biāo)準(zhǔn)列表

（來(lái)源：第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)戰(zhàn)略聯(lián)盟）