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大功率半導(dǎo)體技術(shù)現(xiàn)狀及其進(jìn)展

碳化硅功率器件技術(shù)綜述與展望

電裝SiC功率半導(dǎo)體的誕生之路和未來(lái)的可能性

國(guó)際首次 | β相氧化鎵功率品質(zhì)因子國(guó)際首次超越SiC理論極限

重慶郵電大學(xué)成功研發(fā)第三代半導(dǎo)體功率芯片

日企致力于開(kāi)發(fā)功率器件應(yīng)用材料以減工時(shí)

高壓大功率碳化硅電力電子器件研制進(jìn)展

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SiC賦能光伏與可再生能源功率轉(zhuǎn)換

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深度！如何從材料層面提升碳化硅功率器件技術(shù)可靠性？

英飛凌功率雙極性半導(dǎo)體二極管和晶閘管的成熟技術(shù)

智新功率半導(dǎo)體或?qū)?月量產(chǎn)

軍民融合+進(jìn)口替代正當(dāng)時(shí)——世界領(lǐng)先的GaAs和GaN混合集成微波功率放大器量產(chǎn)

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