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關(guān)鍵進(jìn)展！深圳平湖實(shí)驗室高壓650V GaN功率器件綜合性能達(dá)國際先進(jìn)水平

納微半導(dǎo)體發(fā)布3300V/2300V超高壓SiC全系產(chǎn)品組合，服務(wù)于智能電網(wǎng)并全面提升關(guān)鍵能源基礎(chǔ)設(shè)施可靠性與性能

南芯科技推出700V高壓GaN半橋功率芯片，為工業(yè)電源提供更高效可靠的解決方案

報告前瞻|中車時代半導(dǎo)體羅海輝：高壓碳化硅芯片技術(shù)進(jìn)展與應(yīng)用前景

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|香港大學(xué)張宇昊：面向高壓、高溫及高功率的氧化鎵器件及應(yīng)用

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|電子科技大學(xué)鄧小川：高壓碳化硅MOSFET器件性能提升技術(shù)的發(fā)展及其挑戰(zhàn)

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|英飛凌宋清亮：基于英飛凌GaN晶體管的高壓直流中間總線變換器的參考設(shè)計

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|大連理工大學(xué)黃火林：氮化鎵高壓增強(qiáng)型功率器件與可靠性技術(shù)進(jìn)展

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|波蘭科學(xué)院高壓物理研究所Piotr Perlin：氮化物激光二極管-挑戰(zhàn)和解決方案

Imec啟動300mm GaN項目，專注低壓和高壓功率電子器件的300mm GaN技術(shù)

西電郝躍院士團(tuán)隊張進(jìn)成教授、周弘教授取得百安千伏級高壓氧化鎵功率器件研究突破

派瑞股份與西電所簽署合作協(xié)議，研發(fā)制造中高壓IGBT功率器件

北理工課題組在極端環(huán)境下金剛石高壓合成方面取得新進(jìn)展

國家重點(diǎn)研發(fā)計劃“大尺寸氮化鎵單晶制備用高溫超高壓反應(yīng)釜設(shè)計制造技術(shù)”項目啟動暨實(shí)施方案論證會召開

四部門：加快高壓碳化硅模塊、主控芯片等核心器件國產(chǎn)化替代

瞻芯電子與浙江大學(xué)聯(lián)合發(fā)表10kV SiC MOSFET研發(fā)成果，助力高壓應(yīng)用技術(shù)革新

CSPSD2025 | 二十余位專家學(xué)者共話硅、碳化硅器件及其他高壓功率器件新進(jìn)展！

CSPSD 2025前瞻|中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)楊樹：高壓低阻垂直型GaN功率電子器件研究

CSPSD 2025前瞻|電子科技大學(xué)章文通：基于電荷場調(diào)制機(jī)理的高溫高壓車規(guī)SOI超結(jié)BCD技術(shù)

中南大學(xué)何軍、鐘綿增，浙江大學(xué)李京波：通過調(diào)控電場分布實(shí)現(xiàn)高均勻性的耐高壓晶圓級4H-SiC紫外光電探測器

聞泰科技：公司預(yù)計包括SiC、GaN和IGBT在內(nèi)的高壓功率器件和模擬芯片產(chǎn)品將從2025年底開始逐步放量

超高壓碳化硅大功率芯片項目簽約

超高壓碳化硅大功率芯片項目成功簽約！

西電張進(jìn)成教授等在金剛石高壓功率器件領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

重大突破！吉林大學(xué)領(lǐng)銜，高壓人工合成出隕石中的超級鉆石“六方金剛石”

中國首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功通過太空驗證

中國太空科技新突破！首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功并驗證

昕感科技申請一種終端復(fù)合結(jié)構(gòu)及高壓 SIC 器件專利，提升終端效率并提高工藝容錯率

一文解開遠(yuǎn)山氮化鎵功率器件實(shí)現(xiàn)耐高壓的秘密

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