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中國(guó)科學(xué)家提出基于信號(hào)關(guān)聯(lián)的新量子傳感范式

4H-SiC 中基面位錯(cuò)滑移帶表征和外延傳播

金剛石基板上的GaN晶體管，散熱性能提高2.3倍

中科大龍世兵課題組 | 基于交變柵壓調(diào)制的Ga2O3光電探測(cè)器

寧波材料所研發(fā)氧化鎵基日盲紫外光電探測(cè)器的低溫制備技術(shù)

科研新進(jìn)展 | 廈門(mén)大學(xué)張保平教授課題組發(fā)表綠光GaN基VCSEL重要成果

蘇州納米所在新型氮化鎵基光電器件領(lǐng)域取得進(jìn)展

廈門(mén)大學(xué)張洪良和上海光機(jī)所齊紅基團(tuán)隊(duì)在深紫外透明導(dǎo)電Si摻雜氧化鎵異質(zhì)外延薄膜研究取得進(jìn)展

天津大學(xué)在硅基頻率源技術(shù)方面取得系列成果

南京大學(xué)在GaN基Micro LED研究領(lǐng)域取得新進(jìn)展

中科院半導(dǎo)體所在硅基外延量子點(diǎn)激光器研究取得進(jìn)展

半導(dǎo)體所在硅基外延量子點(diǎn)激光器研究方面取得重要進(jìn)展

基于全HVPE生長(zhǎng)、具有創(chuàng)紀(jì)錄的高品質(zhì)優(yōu)值(1.1 GW/cm2)的垂直GaN肖特基勢(shì)壘二極管

中科院微電子所：在硅基氮化鎵橫向功率器件的動(dòng)態(tài)可靠性研究方面取得進(jìn)展

簡(jiǎn)述基于可調(diào)諧半導(dǎo)體激光吸收光譜的氧氣濃度高靈敏度檢測(cè)研究

基于金剛石的先進(jìn)熱管理技術(shù)研究進(jìn)展

中國(guó)科大首次實(shí)現(xiàn)基于碳化硅中硅空位色心的高壓原位磁探測(cè)

國(guó)際首次！科研團(tuán)隊(duì)在基于碳化硅硅空位色心的高壓原位磁探測(cè)研究方面取得突破

半導(dǎo)體SERS基底非吸附分析物檢測(cè)獲進(jìn)展

硅基氮化鎵Micro-LED，實(shí)現(xiàn)高速可見(jiàn)光通信信號(hào)探測(cè)

蘇州納米所孫錢(qián)團(tuán)隊(duì)研制出國(guó)際首支1200V的硅襯底GaN基縱向功率器件

復(fù)旦大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)合作發(fā)明晶圓級(jí)硅基二維互補(bǔ)疊層晶體管

上海微系統(tǒng)所在硅基碳化硅異質(zhì)集成XOI材料領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

電動(dòng)車直流充電基礎(chǔ)設(shè)施如何實(shí)現(xiàn)快速充電？

中科院物理所在集成有亞波長(zhǎng)光柵的臺(tái)面型InGaAs基短波紅外偏振探測(cè)器取得進(jìn)展

河工大張紫輝團(tuán)隊(duì)在GaN基Micro-LED方面獲得新進(jìn)展

基于垂直架構(gòu)的新型二維半導(dǎo)體/鐵電多值存儲(chǔ)器取得進(jìn)展

長(zhǎng)平時(shí)代發(fā)布用于車載電子的900V硅基氮化鎵外延片

日本東京大學(xué)開(kāi)發(fā)出新一代半導(dǎo)體加工技術(shù) 封裝基板布線用孔降至6微米以下

基于SiC的電動(dòng)汽車用純電驅(qū)動(dòng)單元研究

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