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深圳平湖實驗室8英寸1200 V增強型Si
基
GaN HEMT研發(fā)取得關(guān)鍵性突破
評論 ?
2025-12-22 09:31
半導(dǎo)體所、新疆理化所采用386nm近紫外GaN
基
激光器直接倍頻實現(xiàn)193nm深紫外激光
半導(dǎo)體所
新疆理化
386nm
近紫外
GaN基
激光器
193nm
深紫外
激光
評論 ?
2025-12-18 16:56
小米手機射頻團隊論文入選 IEDM 2025，率先報道了應(yīng)用于移動終端的高效率低壓硅
基
氮化鎵射頻功率放大器
小米集團
蘇州能訊
香港科技大學(xué)
論文
高效率
低壓
硅基氮化鎵
射頻
功率放大器
評論 ?
2025-12-15 08:19
AlGaN
基
遠紫外光源芯片發(fā)光效率增強關(guān)鍵技術(shù)研究——第三代半導(dǎo)體技術(shù)十大進展成果推介
AlGaN
遠紫外
光源芯片
發(fā)光效率
關(guān)鍵技術(shù)
研究
華中科技大學(xué)
十大進展
優(yōu)煒芯
評論 ?
2025-12-11 09:12
蘇州納米所孫錢團隊在氮化鎵低壓射頻器件領(lǐng)域取得新進展
蘇州納米所
孫錢
AlGaN
GaN
異質(zhì)結(jié)
硅基氮化鎵
器件
成果
評論 ?
2025-12-08 18:08
中國科學(xué)院半導(dǎo)體所在
基
于伊辛智能計算的光子集成電路快速重構(gòu)研究方面取得新進展
評論 ?
2025-10-11 09:55
中科大孫海定：氮化鎵
基
多功能集成光電突觸器件構(gòu)建高效人工視覺系統(tǒng)
評論 ?
2025-09-12 11:45
廈門大學(xué)&廈門市未來顯示技術(shù)研究院團隊
基
于氮化物表面電子態(tài)演化開發(fā)出Micro LED側(cè)壁鈍化新方法
評論 ?
2025-09-03 15:37
中國科學(xué)院蘇州納米所陸書龍團隊在氮化鎵
基
單片集成器件領(lǐng)域取得進展
評論 ?
2025-08-21 15:30
中國科學(xué)院氮化鎵
基
無源太赫茲相控陣機制研究獲進展
評論 ?
2025-08-08 16:36
蘇州納米所秦華團隊在氮化鎵
基
無源太赫茲相控陣機制研究方面取得進展
評論 ?
2025-07-25 16:50
科研成果| 硅
基
金剛石熱沉在GaN功率放大器中的應(yīng)用
評論 ?
2025-06-18 09:49
寧波材料所在超寬禁帶半導(dǎo)體
基
日盲紫外探測領(lǐng)域取得系列進展
評論 ?
2025-03-25 19:16
KAUST實現(xiàn)千伏級藍寶石襯底AlN肖特
基
二極管
評論 ?
2025-02-17 09:10
武漢大學(xué)聯(lián)合中科大iGaN實驗室與工信部電子五所在GaN
基
HEMTs的溝道溫度監(jiān)測研究領(lǐng)域取得新進展
評論 ?
2025-02-14 14:46
半導(dǎo)體所在
基
于氧化鎵的日盲紫外偏振光探測器方面取得新進展
評論 ?
2024-12-30 15:35
北京大學(xué)團隊在GaN
基
功率電子器件研究上取得系列重要進展
評論 ?
2024-12-25 10:09
北大集成電路學(xué)院研究團隊在GaN
基
功率電子器件研究上取得系列重要進展
評論 ?
2024-12-23 17:17
基
于新型SiC復(fù)合襯底的低成本MOSFET取得重要進展
評論 ?
2024-12-23 10:41
上海微系統(tǒng)所科研團隊在金剛石
基
氧化鎵異質(zhì)集成材料與器件領(lǐng)域取得突破性進展
評論 ?
2024-12-17 16:04
許福軍、沈波團隊成功實現(xiàn)垂直注入AlGaN
基
深紫外發(fā)光器件的晶圓級制備
評論 ?
2024-11-12 18:43
SCIENCE CHINA|面向超高像素密度TFT
基
Micro-LED全彩顯示應(yīng)用的激光巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)
評論 ?
2024-10-28 10:14
SCIENCE CHINA|面向超高像素密度TFT
基
Micro-LED全彩顯示應(yīng)用的激光巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)
評論 ?
2024-10-27 22:26
Nature Photonics |
基
于深紫外microLED顯示的無掩膜光刻技術(shù)與應(yīng)用示范
評論 ?
2024-10-15 17:19
基
本半導(dǎo)體銅燒結(jié)技術(shù)在碳化硅功率模塊中的應(yīng)用
評論 ?
2024-08-01 17:37
北京大學(xué)取得AlGaN
基
深紫外發(fā)光二極管器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，顯著提升器件的光輸出功率
評論 ?
2024-04-08 19:10
成果推薦|
基
于凹槽二次外延技術(shù)的p-GaN柵極增強型電力電子器件
評論 ?
2024-03-13 20:11
半導(dǎo)體所研制出室溫連續(xù)功率4.6W的GaN
基
大功率紫外激光器
評論 ?
2024-03-07 09:47
復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院器件工藝團隊研發(fā)
基
于全無機鈣鈦礦的多功能集成光子器件
評論 ?
2024-02-21 09:45
新進展│深圳大學(xué)劉新科課題組取得
基
于2D-on-GaN垂直異質(zhì)集成的高性能寬光譜探測器研究新成果
寬禁帶與二維材料,
能帶工程，
光電探測器,
深圳大學(xué),
垂直異質(zhì)集成
評論 ?
2024-02-01 11:30
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