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國際首發(fā)！深圳平湖實驗室研制8英寸4°傾角4H-SiC上高質量GaN外延

Science Advances：南京大學聯(lián)合團隊突破外延襯底限制，實現(xiàn)非晶襯底上高質量半導體薄膜外延生長

氮化鎵外延層中位錯輔助的電子和空穴傳輸研究取得進展

中科院微電子所黃森、劉新宇團隊在GaN外延位錯傳導載流子及其導致功率電子器件可靠性退化機制方面取得重要進展

武大、西電合作攻克范德華外延氮化鎵高質量成核與生長難題，為跨材料、跨功能的寬禁帶半導體異構集成掃清了關鍵障礙

富加鎵業(yè)氧化鎵MOCVD同質外延片性能再創(chuàng)新高

采用金屬有機化學氣相沉積原位脈沖鋁原子輔助法生長的（001）β-Ga2O3外延層

西湖大學工學院孔瑋團隊提出β-Ga?O? (100)面的單晶同質外延方法

北大楊學林、沈波團隊在氮化鎵外延材料中位錯的原子級攀移動力學研究上取得重要進展

中科院理化所&吉大&中科大Nature Nano.：用于超高分辨率micro-LED顯示器的遠程外延晶體鈣鈦礦

晶鉆科技同質外延單晶金剛石新突破

科學家提出傾斜臺階面外延生長菱方氮化硼單晶方法

成果推薦| 基于凹槽二次外延技術的p-GaN柵極增強型電力電子器件

石墨烯芯片制造領域，重要里程碑→

新進展！西安交通大學實現(xiàn)2英寸單晶金剛石異質外延自支撐襯底量產

4H-SiC 中基面位錯滑移帶表征和外延傳播

廈門大學張洪良和上海光機所齊紅基團隊在深紫外透明導電Si摻雜氧化鎵異質外延薄膜研究取得進展

北大許福軍、沈波團隊在氮化物半導體大失配外延研究上取得突破性進展

中科院半導體所在硅基外延量子點激光器研究取得進展

半導體所在硅基外延量子點激光器研究方面取得重要進展

北京大學許福軍、沈波團隊實現(xiàn)了接近體塊級質量的III族氮化物異質外延膜

簡述GaN 外延生長方法及生長模式

國內首家！廈門大學實現(xiàn)8英寸碳化硅外延生長

簡述Ir襯底上金剛石半導體異質外延生長技術與機理研究進展

長平時代發(fā)布用于車載電子的900V硅基氮化鎵外延片

馮志紅團隊在(001)單晶金剛石上制備了具有同質外延層的金剛石FET

半導體所等研究團隊合作在氮化物外延方法及新型器件研究中取得系列進展

【成果轉化】6 英寸 650V-1200V 碳化硅外延片---產業(yè)基礎領域先進技術產品轉化應用目錄 (推廣篇)(2021年度)》

中國科學家在鍺錫材料分子束外延方面取得重要進展

西安交大在氧化物薄膜外延領域取得重要進展

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