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廈門大學&廈門市未來顯示技術(shù)研究院團隊基于氮化物表面電子態(tài)演化開發(fā)出Micro LED側(cè)壁鈍化新
方法
評論 ?
2025-09-03 15:37
西湖大學工學院孔瑋團隊提出β-Ga?O? (100)面的單晶同質(zhì)外延
方法
評論 ?
2025-03-11 14:46
北理工團隊在擴展光源光能量分布調(diào)控的自由曲面光學設(shè)計
方法
上取得新進展
評論 ?
2024-10-12 10:17
科學家提出傾斜臺階面外延生長菱方氮化硼單晶
方法
評論 ?
2024-05-06 11:06
北京大學取得AlGaN基深紫外發(fā)光二極管器件結(jié)構(gòu)及其制備
方法
專利，顯著提升器件的光輸出功率
評論 ?
2024-04-08 19:10
一種IGBT結(jié)溫預測的
方法
評論 ?
2024-03-28 20:31
北京大學申請p溝道氮化鎵異質(zhì)結(jié)晶體管及其制備
方法
專利，實現(xiàn)電流密度的增加
評論 ?
2024-03-26 18:37
清華大學等研究團隊在三維曲面電子制造
方法
上取得突破
評論 ?
2023-08-22 16:49
簡述GaN 外延生長
方法
及生長模式
評論 ?
2023-06-08 16:20
“一種低操作電壓高一致性憶阻器及其制備
方法
”發(fā)明專利發(fā)布
評論 ?
2023-05-22 17:13
突破！中國科大研究團隊創(chuàng)造性開發(fā)出半導體材料激光直寫
方法
評論 ?
2023-03-08 16:28
北京交大科研團隊提出GaN器件動態(tài)導通電阻的精確測試與優(yōu)化
方法
評論 ?
2022-11-17 16:42
半導體所等研究團隊合作在氮化物外延
方法
及新型器件研究中取得系列進展
評論 ?
2022-10-14 17:45
蘇州納米所器件部樊士釗等JAP：利用電子通道襯度成像
方法
分析氮化鎵異質(zhì)結(jié)中的穿透位錯和失配位錯
評論 ?
2022-09-14 13:59
一種基于基板埋入技術(shù)的新型SiC功率模塊封裝及可靠性優(yōu)化設(shè)計
方法
評論 ?
2022-09-02 09:52
哈爾濱工業(yè)大學科研團隊通過選擇性生長
方法
制備了準垂直金剛石肖特基二極管
評論 ?
2022-09-02 09:34
淺述IGBT在高功率環(huán)境中的散熱
方法
評論 ?
2022-07-13 18:22
技術(shù)分享 | GaN器件驅(qū)動及簡化柵極驅(qū)動設(shè)計的
方法
評論 ?
2022-06-22 18:08
SiC 動態(tài)表征和測量
方法
簡述
評論 ?
2022-06-22 09:28
蘇州大學揭建勝教授團隊提出有機半導體單晶薄膜制備新
方法
，遷移率變異系數(shù)僅9.8%
評論 ?
2022-04-24 08:28
科研人員提出超寬禁帶半導體材料AlN位錯抑制新
方法
超寬禁帶
半導體材料
AlN
位錯抑制
新方法
評論 ?
2021-05-26 16:01
半導體器件制作工藝流程及
方法
評論 ?
2021-03-23 15:35
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