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功率HEMT的p-GaN柵極可靠性及其加固方法GaN Gate Reliability and Its Reinforcement Techniques in Power HEMTs鐘耀宗中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所助理研究員ZHONG YaozongAssistant Professor of Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences

電熱應(yīng)力下碳化硅功率MOSFET損傷的多尺度探測表征方法Multi-scale Detection and Characterization of SiC Power MOSFET Damage under Electro-thermal Stress劉斯揚東南大學(xué)教授LIU SiyangProfessor of Southeast University

基于正四面體照度計的高動態(tài)范圍全景圖亮度校準(zhǔn)方法以及其在照明質(zhì)量評估光度測量中的應(yīng)用A new method to calibrate the luminance of HDR panoramas using a regular tetrahedron illuminance meter and its use in the photometric measurements of lighting quality.夏嶺河海大學(xué)講師XIA LingLecturer of Hohai University

UV-LED殺菌效果評價方法Evaluation Method of UV-LED Sterilization Effect姚艷春--中國家用電器研究院 環(huán)境與健康相關(guān)產(chǎn)品檢測所主任YAO Yanchun--Director, Environmental and Health Related Product Testing Institute, China Household Electric Appliance Research Institute

UVC對SARS-CoV-2等高傳染性病毒控制的原理與方法The Principle and Method of UVC for the Control of SARS-CoV-2 and Other Highly Infectious VirusesErnest R. Blatchley III--美國普渡大學(xué)Lee A. Rieth講席教授，國際紫外協(xié)會副主席、美洲分會主席Ernest R. Blatchley III--Lee A. Rieth Professor, Purdue University, Americas Regional Vice President of IUVA

《基于脈沖信號導(dǎo)通延遲的SiC MOSFET結(jié)溫檢測方法研究》作者：姜山，張亞民，馮士維，石幫兵單位：北京工業(yè)大學(xué)

《一種通過提高界面處sp2-碳含量改良4H-SiC歐姆接觸的方法》作者：劉少煜，程新紅，鄭理，劉曉博，俞躍輝單位：中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所

《基于智能算法的深紫外LED效率研究方法》作者：路慧敏，李子正，朱一帆，馮麗雅，于彤軍，王建萍單位：北京科技大學(xué)計算機與通信工程學(xué)院，北京大學(xué)物理學(xué)院

《硅基氮化鎵外延材料射頻損耗產(chǎn)生機理及其抑制方法》作者：馬騁，楊學(xué)林，劉丹爍，蔡子?xùn)|，陳正昊，沈波單位：北京大學(xué)物理學(xué)院人工微結(jié)構(gòu)與介觀物理國家重點實驗室

香港科技大學(xué)首席劉紀(jì)美教授在《Micro-LED顯示屏：單片方法的優(yōu)點和問題》報告中指出，大面積的LED顯示器和普通照明應(yīng)用中的成熟的LED技術(shù)很常見。近年來，LED在微顯示器上的應(yīng)用越來越受到人們的關(guān)注。與其他現(xiàn)有的微顯示技術(shù)相比，led在效率、亮度、壽命、溫度穩(wěn)定性和魯棒性等方面具有優(yōu)勢。最重要的是在明亮的日光下的能見度。

蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司李元分享了《以系統(tǒng)方法實現(xiàn)氮化鎵射頻功率器件的高可靠性：我們的成就及新進展》主題報告。氮化鎵射頻功率器件因其優(yōu)良的性能而在基礎(chǔ)工業(yè)領(lǐng)域（如5G通訊基站）具有廣泛的應(yīng)用前景?；A(chǔ)工業(yè)應(yīng)用要求的超長連續(xù)工作壽命及可能的外部惡劣工作環(huán)境，對器件的可靠性提出了更高的要求。能訊高能半導(dǎo)體通過一個系統(tǒng)工程，從產(chǎn)品設(shè)計，工藝開發(fā)，器件生產(chǎn)，到最終篩選測試，每一個環(huán)節(jié)都按嚴(yán)格的程序進行，確

極智報告|華中科技大學(xué)張偉：一種新的AlGaN基深紫外LED光提取效率和可靠性的新方法

LED已實現(xiàn)了全可見光譜范圍的光發(fā)射，在紫、藍、綠、黃譜段使用AlInGaN材料制備，在橙、紅譜段以AlGaInP材料性能最佳。南昌大學(xué)教授李樹強分享了“AlGaInP紅光LED光效提升方法及近期進展”研究報告。他表示，AlGaInP LED發(fā)光波長可覆蓋570nm到780nm范圍，廣泛用于顯示屏、交通信號燈、汽車尾燈、城市亮化、舞臺燈光、多色混光高品質(zhì)白光照明、植物生長、醫(yī)療等領(lǐng)域。 LED功率轉(zhuǎn)換效率由內(nèi)量子效率、輸出效率和阻性損耗決定，其中內(nèi)量子效率主要取決于有源區(qū)的載流子限制能力和材料生長質(zhì)量，

韓國嶺南大學(xué)教授Ja-soon JANG 介紹了GaN基發(fā)光二極管器件可靠性特性分析方法技術(shù)報告。他表示，發(fā)光二極管（LED）技術(shù)已經(jīng)迅速發(fā)展以滿足LED應(yīng)用領(lǐng)域的各種需求，如汽車照明，手術(shù)照明和IT可控智能照明。 隨著LED的重要性越來越大，可靠性問題越來越重要。 他分享了最近的可靠性問題，并考慮到可以解決可靠性問題的可行方法。為此，我們從遺傳個體和外部誘導(dǎo)的退化因素、復(fù)雜因素和觸發(fā)因子等方面進行研究，新提出了影響LED可靠性行為的邊界條件（芯片和封裝之間）以及影響因素，以確保LED的哪些部分易受