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科研成果 | 唐寧、沈波團(tuán)隊(duì)與合作者利用深紫外光譜在原子級薄超寬禁帶半導(dǎo)體能帶結(jié)構(gòu)研究方面取得重要進(jìn)展

蘇州納米所秦華團(tuán)隊(duì)在氮化鎵基無源太赫茲相控陣機(jī)制研究方面取得進(jìn)展

科研成果 | 光子循環(huán)再生新突破：利用未逃逸光子再生空穴，突破深紫外LED空穴注入效率和光提取效率瓶頸最新成果

氮化鎵外延層中位錯輔助的電子和空穴傳輸研究取得進(jìn)展

科研新進(jìn)展 | 廈大周偉教授團(tuán)隊(duì)在激光精密制造領(lǐng)域取得突破進(jìn)展

長春光機(jī)所聯(lián)合東方理工大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)在寬禁帶氮化物載流子動力學(xué)研究方面取得重要進(jìn)展

中國科學(xué)院微電子研究所在EUV光刻收集鏡紅外輻射抑制方面取得新進(jìn)展

蘇州納米所研制出氮化鎵光子晶體面發(fā)射激光器

北京大學(xué)王新強(qiáng)、王平、王濤團(tuán)隊(duì)在纖鋅礦氮化物鐵電半導(dǎo)體研究上取得重要進(jìn)展

中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所在低維半導(dǎo)體偏振光探測方面取得系列進(jìn)展

中國科學(xué)院半導(dǎo)體所集體導(dǎo)模共振手性激光器研發(fā)取得進(jìn)展

東京大學(xué)研發(fā)“摻鎵氧化銦晶體”取代硅材料

中國科大微電子學(xué)院胡詣?wù)芙淌谡n題組在極低抖動高速鎖相環(huán)芯片研究中取得重要突破

突破芯片散熱瓶頸！天津大學(xué)團(tuán)隊(duì)研發(fā)全球最小高能效MEMS冷卻器

新突破！我國成功研發(fā)蚊子大小仿生機(jī)器人

南京大學(xué)團(tuán)隊(duì)在國際功率半導(dǎo)體會議ISPSD上發(fā)布兩項(xiàng)宇航用氮化鎵功率器件輻照效應(yīng)研究成果

科研成果| 硅基金剛石熱沉在GaN功率放大器中的應(yīng)用

深圳平湖實(shí)驗(yàn)室GaN課題組劉軒博士研究成果亮相國際頂級學(xué)術(shù)會議ISPSD2025

復(fù)旦大學(xué)研究人員等在新型半導(dǎo)體表界面結(jié)構(gòu)與缺陷研究方面取得系列進(jìn)展

中國科大研制出一種全方向表面等離子體波照明器件

半導(dǎo)體所在植入式腦機(jī)接口器件研究方面取得新進(jìn)展

科研成果|?高整流、超低漏p-Si/n-AlN異質(zhì)結(jié)PN二極管

北京大學(xué)團(tuán)隊(duì)成功研制無閾值電壓負(fù)漂650V/10A增強(qiáng)型GaN器件

科研成果| p-GaN柵HEMT器件在負(fù)柵壓阻斷態(tài)下的重離子輻照可靠性實(shí)驗(yàn)研究

中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所郭煒研究員在GaN HEMT器件研究中取得新進(jìn)展

國家工程研究中心最新突破：磁控濺射AlN覆蓋層提升p-GaN HEMT器件性能

九峰山實(shí)驗(yàn)室推氧化鎵科研級功率單管及coupon to wafer流片平臺

山東大學(xué)/晶鎵半導(dǎo)體成功研發(fā)4英寸高質(zhì)量GaN單晶襯底

廈門大學(xué)-廈門市未來顯示技術(shù)研究院團(tuán)隊(duì)在鈣鈦礦窄帶光電探測器研究中取得重要突破

中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)團(tuán)隊(duì)研制出毫秒級可集成量子存儲器

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