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三星啟動1nm工藝研發(fā) 2029年后量產(chǎn)

中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)在日盲紫外光電探測器研究中取得新進(jìn)展

聯(lián)合微電子中心研發(fā)硅光集成光纖陀螺芯片成功下線

中科大微電子學(xué)院在GaN器件輻照效應(yīng)研究方向取得重要進(jìn)展

全球首發(fā)！復(fù)旦團(tuán)隊研制二維半導(dǎo)體芯片“無極”

西安電子科技大學(xué)郝躍院士團(tuán)隊常晶晶教授等人在Nano-Micro Lett.發(fā)表最新研究成果

重磅發(fā)布｜九峰山實驗室GaN系列成果首次發(fā)布！

中國科學(xué)院聯(lián)合納米器件研究部在日盲紫外探測領(lǐng)域取得新進(jìn)展

西安交大科研人員制備出全球首款六方氮化硼同質(zhì)結(jié)深紫外LED芯片

實現(xiàn)技術(shù)突破！我國成功研制出這一光子芯片

蘭州大學(xué)研究團(tuán)隊在日盲光電探測器件方面突破“RS困境” 實現(xiàn)高性能光電探測

哈工大宋清海、陳怡沐教授團(tuán)隊研發(fā)新型手性光電材料為電致圓偏振光源提供新思路

研制成功！我國團(tuán)隊在氧化鎵日盲光電探測器領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

浙江大學(xué)柯徐剛研究員團(tuán)隊發(fā)布應(yīng)用于大功率AI數(shù)據(jù)中心的第三代半導(dǎo)體氮化鎵高效率智能供電芯片

中國科學(xué)院微電子所在Chiplet熱仿真工具研究方面取得新進(jìn)展

中國科大楊樹教授和龍世兵教授課題組在垂直型GaN功率晶體管研究方向取得重要進(jìn)展

香港科技大學(xué)陳敬教授課題組發(fā)布多項氮化鎵、碳化硅的最新研究進(jìn)展

南開大學(xué)研發(fā)光學(xué)焦平面陣列堆疊芯片，實現(xiàn)毫米波高速成像

武漢大學(xué)聯(lián)合中科大iGaN實驗室與工信部電子五所在GaN基HEMTs的溝道溫度監(jiān)測研究領(lǐng)域取得新進(jìn)展

北大楊學(xué)林、沈波團(tuán)隊在氮化鎵外延材料中位錯的原子級攀移動力學(xué)研究上取得重要進(jìn)展

中國首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功通過太空驗證

中國太空科技新突破！首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功并驗證

電子科技大學(xué)朱慧慧、劉奧教授在Nature Protocols上發(fā)表新型半導(dǎo)體薄膜電子器件研究成果

南科大深港微電子學(xué)院于洪宇、王中銳、汪青研究團(tuán)隊在LiNbO3壓電聲表面波相移器領(lǐng)域取得新進(jìn)展

西安電子科技大學(xué)保宏教授團(tuán)隊在《Advanced Materials》上發(fā)表科研成果

西安電子科技大學(xué)集成電路學(xué)部科研團(tuán)隊在《Advanced Materials》發(fā)表科研成果

核能安全所在超寬禁帶材料半導(dǎo)體輻射探測器研制方面取得新進(jìn)展

西安電子科技大學(xué)蘇杰副教授以共同第一作者在Science發(fā)表研究成果

美國實驗室研發(fā)新型激光技術(shù)，有望大幅提升芯片制造效率

南京郵電大學(xué)研究團(tuán)隊在用于低功率光通信的GaN/CuI異質(zhì)結(jié)構(gòu)紫外光伏探測器取得進(jìn)展

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