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南京大學(xué)陸海教授團(tuán)隊(duì)2篇光電精密測量芯片工作在IEDM 2025發(fā)布：1. 寬禁帶半導(dǎo)體引領(lǐng)電子顯微技術(shù)走向單電子精密測量時(shí)代

AlGaN基遠(yuǎn)紫外光源芯片發(fā)光效率增強(qiáng)關(guān)鍵技術(shù)研究——第三代半導(dǎo)體技術(shù)十大進(jìn)展成果推介

南科大深港微電子學(xué)院高源團(tuán)隊(duì)在高性能電源管理芯片領(lǐng)域取得重要研究成果

上海交大集成電路學(xué)院團(tuán)隊(duì)在光收發(fā)芯片領(lǐng)域迎來新突破

中國科學(xué)院微電子所團(tuán)隊(duì)在高速串行接口芯片方面取得新進(jìn)展

中國科大微電子學(xué)院胡詣?wù)芙淌谡n題組在極低抖動(dòng)高速鎖相環(huán)芯片研究中取得重要突破

突破芯片散熱瓶頸！天津大學(xué)團(tuán)隊(duì)研發(fā)全球最小高能效MEMS冷卻器

聯(lián)合微電子中心研發(fā)硅光集成光纖陀螺芯片成功下線

全球首發(fā)！復(fù)旦團(tuán)隊(duì)研制二維半導(dǎo)體芯片“無極”

西安交大科研人員制備出全球首款六方氮化硼同質(zhì)結(jié)深紫外LED芯片

實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破！我國成功研制出這一光子芯片

浙江大學(xué)柯徐剛研究員團(tuán)隊(duì)發(fā)布應(yīng)用于大功率AI數(shù)據(jù)中心的第三代半導(dǎo)體氮化鎵高效率智能供電芯片

北京大學(xué)王劍威、龔旗煌課題組在連續(xù)變量光量子芯片領(lǐng)域取得重大突破

南開大學(xué)研發(fā)光學(xué)焦平面陣列堆疊芯片，實(shí)現(xiàn)毫米波高速成像

臺(tái)積電亞利桑那州工廠已開始生產(chǎn)4nm芯片

美國實(shí)驗(yàn)室研發(fā)新型激光技術(shù)，有望大幅提升芯片制造效率

國產(chǎn)自主研發(fā)28nm顯示芯片量產(chǎn)

我國首次突破溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造技術(shù)

我國科學(xué)家實(shí)現(xiàn)材料突破，可用于開發(fā)低功耗芯片

IMEC使用ASML最新High-NA EUV取得芯片制造突破

我國攻克1200V以上增強(qiáng)型氮化鎵電力電子芯片量產(chǎn)技術(shù)

西安電子科技大學(xué)攻克 1200V 以上增強(qiáng)型氮化鎵電力電子芯片量產(chǎn)技術(shù)

復(fù)旦大學(xué)研發(fā)半導(dǎo)體性光刻膠，實(shí)現(xiàn)特大規(guī)模集成度有機(jī)芯片制造

北大王瑋教授團(tuán)隊(duì)在芯片熱管理領(lǐng)域取得進(jìn)展

808nm高功率半導(dǎo)體激光芯片取得重大突破

復(fù)旦大學(xué)芯片院在高速低EMI功率集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

我國高性能光子芯片領(lǐng)域取得突破可批量制造！

西安交大毫米波頻率源芯片研究成果在ISSCC2024發(fā)表

清溢光電：已實(shí)現(xiàn)180nm工藝節(jié)點(diǎn)半導(dǎo)體芯片掩膜版的量產(chǎn)

中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所在脈沖型人工視覺芯片研制取得新進(jìn)展

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