為貫徹國(guó)家創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)發(fā)展戰(zhàn)略，積極培育和發(fā)展新質(zhì)生產(chǎn)力，聚焦發(fā)掘我國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)重要科技進(jìn)展，進(jìn)一步擴(kuò)大優(yōu)秀科研成果的影響力和輻射面，助推優(yōu)秀技術(shù)成果轉(zhuǎn)化為新質(zhì)生產(chǎn)力，實(shí)現(xiàn)高水平科技自立自強(qiáng)，賦能我國(guó)產(chǎn)業(yè)不斷攀升全球價(jià)值鏈的最高端。由國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇暨第中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（IFWS&SSLCHINA）程序委員會(huì)倡議發(fā)起“年度中國(guó)第三代半導(dǎo)體技術(shù)十大進(jìn)展”評(píng)選，2025年經(jīng)公開征集和合規(guī)篩選，共計(jì)有效成果43項(xiàng)。經(jīng)程序委員會(huì)專家評(píng)審?fù)镀保?3項(xiàng)優(yōu)秀成果進(jìn)入終評(píng)候選成果TOP30 （不分先后）。接下來將逐一推介，敬請(qǐng)關(guān)注！

》大會(huì)現(xiàn)場(chǎng)設(shè)有候選成果TOP30 主題展示

8、AlGaN基遠(yuǎn)紫外光源芯片發(fā)光效率增強(qiáng)關(guān)鍵技術(shù)研究

——華中科技大學(xué)、華中科技大學(xué)鄂州工研院技術(shù)研究院、武漢優(yōu)煒芯科技有限公司

本團(tuán)隊(duì)設(shè)計(jì)了芯片刻蝕反射陣列結(jié)構(gòu)，提升了紫外芯片電光轉(zhuǎn)換效率；首創(chuàng)了協(xié)同散射光子調(diào)控策略，提高了紫外芯片光提取效率；制備了晶圓級(jí)介質(zhì)納米結(jié)構(gòu)，提升了紫外芯片輸出光功率。基于以上成果，本團(tuán)隊(duì)最終突破了230 nm遠(yuǎn)紫外光源毫瓦級(jí)輸出的國(guó)際難題，成功研制出峰值波長(zhǎng)230 nm、輸出功率2.8 mW的AlGaN基遠(yuǎn)紫外micro-LED，為目前毫瓦級(jí)micro-LED報(bào)道的最短波長(zhǎng)。

學(xué)術(shù)/產(chǎn)業(yè)價(jià)值

學(xué)術(shù)價(jià)值：該研究在國(guó)際上首次實(shí)現(xiàn)了230 nm波長(zhǎng)的毫瓦級(jí)micro-LED光功率輸出，將遠(yuǎn)紫外光源的性能指標(biāo)推向了新的極限，為短波長(zhǎng)半導(dǎo)體光電子學(xué)研究樹立了重要的里程碑。

產(chǎn)業(yè)價(jià)值：該技術(shù)在人機(jī)共存消毒、高端工業(yè)與通信安全等高價(jià)值領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。同時(shí)，該技術(shù)在替代傳統(tǒng)笨重、脆弱且需濾光的KrCl準(zhǔn)分子燈方面具有巨大潛力，使得在便攜式設(shè)備、集成系統(tǒng)中使用遠(yuǎn)紫外光源成為可能，為技術(shù)革新奠定了基礎(chǔ)。

創(chuàng)新指標(biāo)

遠(yuǎn)紫外micro-LED發(fā)射波長(zhǎng)：230 nm @ 250 mA

遠(yuǎn)紫外micro-LED峰值光功率：2.8 mW @ 250 mA

應(yīng)用前景

1. 人機(jī)共存消毒：與較長(zhǎng)波長(zhǎng)的紫外光不同，230 nm遠(yuǎn)紫外光可被人體的表皮細(xì)胞完全吸收，對(duì)皮膚和眼睛的傷害最小，使其能夠在有人活動(dòng)的環(huán)境中進(jìn)行實(shí)時(shí)空氣和物體表面消毒，例如醫(yī)院、學(xué)校、辦公室和公共交通等。

2. 紫外光刻：加工精度更高，可實(shí)現(xiàn)納米級(jí)別光刻。

3. 保密通信：大氣中散射顯著，可構(gòu)建非視距通信網(wǎng)絡(luò)。

推薦人理由

該技術(shù)突破了AlGaN基遠(yuǎn)紫外光源芯片發(fā)光效率增強(qiáng)關(guān)鍵技術(shù)瓶頸，為提高更短波長(zhǎng)紫外光源芯片的光電性能提供了新的思路，為我國(guó)在第三代半導(dǎo)體紫外光電器件領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)自主創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

——戴江南 （華中科技大學(xué)教授）

成果發(fā)布

[1]Yufan Wei, Zhiwei Gao, Yongming Zhao, Zhengang Liang, Yuhui Zeng, Zhencheng Li, Feng Wu, Changqing Chen, Yang Peng, and Jiangnan Dai. Milliwatt-Level 230-nm AlGaN-based Far-Ultraviolet Micro-LEDs [J]. IEEE Electron Device Letters, 2025. DOI: 10.1109/LED.2025.3608875.

[2]Zhenyu Chen, Shuang Zhang, Yongming Zhao, Zhenzi Wu, Maohua Chen, Yuhui Zeng, Zhiwei Gao, Yufan Wei, Zhencheng Li, Zhengang Liang, Yang Peng, Changqing Chen, Feng Wu, and Jiangnan Dai. Enhancement of Light Extraction Efficiency in AlGaN-based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes Using Cooperative Scattering Structures on the n-AlGaN Layer [J]. Laser & Photonics Reviews, 2025, 19(8), 2401926. DOI: 10.1002/lpor.202401926. 

[3]Yiming Yang, Yuqi Hou, Feng Wu, Zhihua Zheng, Shizhou Tan, Dan Xu, Linlin Xu, Chao Shen, Nan Chi, Jiangnan Dai, and Changqing Chen. High Wall-Plug Efficiency AlGaN Deep Ultraviolet Micro-LEDs Enabled by an Etched Reflective Array Design for High Data Transmission [J]. IEEE Transactions on Electron Devices, 2024, 71(5), 3069-3076. DOI: 10.1109/TED.2024.3378218.

[4]Yufan Wei, Maocheng Shan, Zhiwei Gao, Yongming Zhao, Zhencheng Li, Zhenyu Chen, Yuhui Zeng, Zhengang Liang, Xiantai Tian, Yang Peng, Feng Wu, Changqing Chen, Hao-Chung Kuo, and Jiangnan Dai. Light Extraction Efficiency Enhancement of Deep Ultraviolet Light-emitting Diodes Using Wafer-scale SiO2-based Patterned Dielectric Nanostructures [J]. Optics Letters, 2025, 50(19), 6133-6136. DOI: 10.1364/OL.574551.

[5]武漢優(yōu)煒芯科技有限公司. 一種用于深紫外發(fā)光二極管的電子注入層的制備方法[P]. 中國(guó)專利: ZL202410072973.X.

[6]武漢優(yōu)煒芯科技有限公司. 一種紫外發(fā)光二極管器件[P]. 中國(guó)專利: ZL202411032890.4.

[7]武漢優(yōu)煒芯科技有限公司. 一種紫外LED器件[P]. 中國(guó)專利: ZL202411033576.8 .

[8]華中科技大學(xué)鄂州工業(yè)技術(shù)研究院, 華中科技大學(xué). 一種遠(yuǎn)紫外LED封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法[P]. 中國(guó)專利: ZL202510257195.6.

備注：上述信息摘自申報(bào)材料部分內(nèi)容，僅供參考！