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簡(jiǎn)述SiC MOSFET短路保護(hù)時(shí)間

簡(jiǎn)述碳化硅SIC器件在工業(yè)應(yīng)用中的重要作用

基于SiC的電動(dòng)汽車用純電驅(qū)動(dòng)單元研究

簡(jiǎn)述SiC功率器件的新發(fā)展和挑戰(zhàn)

溝槽型SiC MOSFET 工藝流程及SiC離子注入

SiC MOSFET特性分析及應(yīng)用

國(guó)際首臺(tái)基于自主6.5kV/400A SiC MOSFET模塊的35kV/5MW電力電子變壓器順利通過(guò)全部型式試驗(yàn)

山東大學(xué)與南砂晶圓團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)了高質(zhì)量8英寸導(dǎo)電型4H-SiC單晶和襯底制備

一種基于基板埋入技術(shù)的新型SiC功率模塊封裝及可靠性優(yōu)化設(shè)計(jì)方法

一種基于基板埋入技術(shù)的SiC功率模塊封裝及可靠性優(yōu)化設(shè)計(jì)

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4H-SiC紫外光電探測(cè)器最新成果

SiC 動(dòng)態(tài)表征和測(cè)量方法簡(jiǎn)述

柵極驅(qū)動(dòng)器以及 SiC MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)分析

SiC MOS產(chǎn)品驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)之寄生導(dǎo)通問(wèn)題分析與設(shè)計(jì)建議

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第四代SiC MOSFET 突破電力電子領(lǐng)域邊界

25 kW SiC直流快充設(shè)計(jì)指南(第四部分)：DC-DC級(jí)的設(shè)計(jì)考慮因素和仿真

SiC MOSFET單管的并聯(lián)均流特性及1 200V 產(chǎn)品參數(shù)分散性對(duì)并聯(lián)均流的影響

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SiC功率模塊封裝技術(shù)及展望

SiC模塊開啟電機(jī)驅(qū)動(dòng)器更高功率密度

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日本京都大學(xué)成功演示SiC在350°C下也能工作

《SiC MOSFET可靠性分析》聯(lián)盟技術(shù)報(bào)告正式立項(xiàng)

電裝SiC功率半導(dǎo)體的誕生之路和未來(lái)的可能性

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國(guó)際首次 | β相氧化鎵功率品質(zhì)因子國(guó)際首次超越SiC理論極限

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