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2025云南晶體大會前瞻|浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心韓學峰：PVT法生長4H-SiC晶體的缺陷形成與摻雜機理研究

三安宣布湖南8英寸SiC芯片生產線投產運營

新潔能延期包括第三代半導體SiC/GaN功率器件及封測等三個募投項目

天岳先進開啟招股，擬募資約18億擴張大尺寸SiC襯底產能

羅姆第一財季營業(yè)利潤驟降84.6%，承認中國SiC基板功能已達到頂級水平

國際首發(fā)！深圳平湖實驗室研制8英寸4°傾角4H-SiC上高質量GaN外延

九峰山實驗室新型SiC Trench MOSFET科研級器件樣品發(fā)布！

小米YU7電動SUV車型將搭載安森美EliteSiC M3e技術的先進800V驅動平臺

英飛凌推出采用Q-DPAK 封裝的CoolSiC? MOSFET 1200V G2

廣州粵升8英寸SiC外延設備完成研發(fā)并出貨

安森美和舍弗勒擴大合作，推出基于EliteSiC的新型插電式混合動力汽車平臺

晶越半導體研制出高品質12英寸SiC晶錠

標準 | “基于感性負載的SiC 功率模塊老化篩選試驗方法”形成委員會草案

瞻芯電子第3代1200V 35mΩ SiC MOSFET量產交付應用，贏得市場認可

深圳平湖實驗室在SiC激光剝離技術領域取得新進展，性能指標達到國際先進水平

晶盛機電馬來西亞 SiC 工廠啟動！

斯達半導擬再融資15億元，投向SiC等3大車規(guī)器件項目

中電化合物與甬江實驗室簽署戰(zhàn)略合作框架協(xié)議，推動SiC材料在AR領域的創(chuàng)新應用

標準 | 《半橋拓撲中SiC MOSFET開關損耗準確評估測試方法》立項

標準 | 《三電平SiC MOSFET功率模塊開關動態(tài)特性測試方法》立項

某單位SIC光刻版采購項目公開招標公告

年產100萬只！這個SiC模塊產線落戶廣東省

瞻芯電子與浙江大學聯(lián)合發(fā)表10kV SiC MOSFET研發(fā)成果，助力高壓應用技術革新

從8英寸量產到12英寸突破！合盛硅業(yè)全鏈條攻克SiC核心技術再攀高峰！

株洲中車8英寸SiC產線年底通線

年底通線！株洲中車8英寸SiC產線披露最新進展

天岳先進：上海臨港工廠二期8吋SiC襯底擴產計劃正在推進中

效率損耗雙領跑！大族半導體SiC晶錠激光剝片技術單片15min單耗470μm！

標準 |華峰測控牽頭的3項SiC MOSFET UIS/單管短路/模塊短路測試方法形成征求意見稿

CSPSD 2025前瞻|復旦大學劉盼：1200V IGBT與SiC MOSFET的短路性能對比研究

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