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西電郝躍院士、西安交大周磊簜團隊與晟光硅研楊森協(xié)同攻關丨低溫超臨界流體處理在退化β相氧化鎵基二極管中恢復與增強電學性能的應用

深圳平湖實驗室與西安理工大學合作在SiC光控晶體管研制方面取得新進展

天成半導體成功研制12英寸高純半決絕緣單晶材料

西電郝躍院士團隊張進成教授、周弘教授取得百安千伏級高壓氧化鎵功率器件研究突破

深圳大學寬禁帶半導體功率器件劉新科研究員團隊：通過PEALD-GaO?界面工程實現(xiàn)高性能垂直氮化鎵MOS電容器

北京大學電子學院魏賢龍課題組在二維氮化硼的介電強度研究中取得重要進展

征世科技成功研發(fā)30 mm×55 mm單晶金剛石散熱片

日本國立材料研究所廖梅勇團隊實現(xiàn)金剛石DUV探測器低電壓高增益新突破！

西安交大科研人員在低維鈣鈦礦器件領域取得進展

代爾夫特理工大學研究團隊開發(fā)無定形碳化硅，可用于微芯片領域

上海硅酸鹽所碳化硅陶瓷增材制造研究獲進展

上海硅酸鹽所在碳化硅陶瓷增材制造研究方面取得新進展

山東大學陶緒堂教授團隊研發(fā)超高光產(chǎn)額、超快衰減、低成本大尺寸單晶閃爍體

新突破！4英寸鑄造法氧化鎵單晶研制獲得成功

我國成功研制新型光學晶體可滿足半導體晶圓檢測等領域重大需求

京都大學研究組開發(fā)出新型功率半導體材料“金紅石型GeO2基半導體”

寧波材料所在低成本鈣鈦礦太陽能電池空穴傳輸材料方面取得研究進展

中國科學院物理研究所張廣宇課題組實現(xiàn)4英寸晶圓尺度均勻多層二硫化鉬連續(xù)薄膜可控逐層外延生長

中科院化學研究所發(fā)現(xiàn)碳家族單晶新材料

IGBT 功率模塊熱管理研究簡述

日本研究人員開發(fā)出一種納米纖維素紙半導體具有廣泛可調(diào)性

日本研究人員開發(fā)出一種納米纖維素紙半導體

世界紀錄效率！南京大學現(xiàn)工院譚海仁團隊在《Nature》發(fā)文報道全鈣鈦礦疊層電池重要研究進展

北理工在鈣鈦礦晶體的消色差1/4波片特性研究方面取得突破進展

北大物理學院量子材料科學中心高鵬研究員與合作者首次在玻璃襯底上異質(zhì)外延出準單晶氮化鎵薄膜

南科大國際研究團隊在《自然》雜志上發(fā)布觀測到原子手性超流的重大研究成果

極具潛力的半導體材料，硫化鉑光電特性研究獲新突破

精選報告：半導體行業(yè)存儲芯片研究框架

中科院雜化鐵電半導體研究取得新進展，為新穎鐵電材料設計合成提供參考

研究發(fā)現(xiàn)硅或為光子信息處理最強大的材料

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