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CASICON 2023深圳前瞻 |托托科技吳陽(yáng)：第三代半導(dǎo)體裝備從器件制造到性能表征

CASICON 2023深圳前瞻 |南方科技大學(xué)葉懷宇：碳化硅器件封裝工藝研發(fā)

德信芯片高端功率器件晶圓研發(fā)生產(chǎn)項(xiàng)目奠基總投資50億元

日程出爐！2023化合物半導(dǎo)體器件與封裝技術(shù)論壇將于10月12-13日在深圳召開(kāi)

國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）投產(chǎn) 打造6英寸SiC電力電子器件研發(fā)與中試平臺(tái)

意法半導(dǎo)體將為汽車(chē)T1廠博格華納供應(yīng)碳化硅MOSFET器件

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芯干線獲融和資產(chǎn)戰(zhàn)略投資，深耕第三代半導(dǎo)體功率器件及模塊研發(fā)設(shè)計(jì)與銷售

總投資200億！長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)生產(chǎn)基地落戶光谷

復(fù)旦大學(xué)寧波研究院寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研究所誠(chéng)聘高層次科研人才

寧德時(shí)代發(fā)布神行超充電池有望推動(dòng)“電器件”迭代換新

工程院院士丁榮軍：新材料和新拓?fù)涫枪β?span id="kjs4g2w" class="highlight">器件未來(lái)技術(shù)突破的關(guān)鍵路徑

9.8億元寧波眾芯半導(dǎo)體光電和功率器件IDM項(xiàng)目封頂

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三安半年報(bào)：SiC業(yè)務(wù)增長(zhǎng)178.86%，900V GaN器件完成開(kāi)發(fā)

派恩杰半導(dǎo)體獲東風(fēng)資管戰(zhàn)略融資，助力國(guó)產(chǎn)碳化硅器件發(fā)展

河北工業(yè)大學(xué)張勇輝：化合物半導(dǎo)體光電及功率器件的仿真設(shè)計(jì)、數(shù)理模型與制備

中山大學(xué)裴艷麗：基于ε-Ga2O3的日盲紫外探測(cè)器件研究

中鎵半導(dǎo)體劉強(qiáng)：面向氮化鎵同質(zhì)外延功率/光電器件應(yīng)用的氮化鎵單晶襯底制備技術(shù)研發(fā)進(jìn)展

中電科第五十五研究所黃潤(rùn)華：SiC MOSFET器件技術(shù)現(xiàn)狀及產(chǎn)品開(kāi)發(fā)進(jìn)展

中國(guó)電科46所霍曉青：面向氧化鎵功率器件的大尺寸氧化鎵單晶材料技術(shù)

西安衛(wèi)光科技李樸：600V超結(jié)MOSFET器件研究

芯港半導(dǎo)體程斌：藍(lán)寶石基GaN材料及功率器件進(jìn)展

中電科13所敦少博：高耐壓氧化鎵功率器件研制進(jìn)展與思考

西安華合德新材料李灝文：面向低成本碳化硅功率器件用大尺寸SiC 單晶技術(shù)

中國(guó)科學(xué)院微電子所黃森：Si基GaN功率器件制備技術(shù)與集成

中國(guó)電氣裝備集團(tuán)研究院田鴻昌：碳化硅功率半導(dǎo)體器件與新型電力系統(tǒng)應(yīng)用

【CASICON 2023 西安站】西安愛(ài)科賽博總工程師王森：碳化硅器件在有源電力濾波器的應(yīng)用前景

【CASICON 2023 西安站】西安交通大學(xué)楊旭教授：寬禁帶器件應(yīng)用與集成化研究進(jìn)展

【CASICON 2023 西安站】西安電子科技大學(xué)副校長(zhǎng)張進(jìn)成：寬禁帶半導(dǎo)體射頻和功率器件技術(shù)新進(jìn)展

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