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IFWS 2023│臺灣成功大學李清庭：GaN基單片電子器件的集成互補金屬氧化物半導(dǎo)體D模和E模高電子遷移率晶體管

IFWS 2023│氮矽科技朱仁強：增強型功率氮化鎵器件結(jié)構(gòu)設(shè)計進展

IFWS 2023│南方科技大學于洪宇：Si基GaN器件及系統(tǒng)研究與產(chǎn)業(yè)前景

CASAS正式成立SiC/GaN功率器件與模塊工作組

IFWS 2023│中國電子科技集團第四十六研究所孫杰：高導(dǎo)熱GaN/金剛石結(jié)構(gòu)制備及器件性能

IFWS 2023│碳化功率器件及封裝技術(shù)分會新提升

IFWS 2023│追蹤氮化鎵功率電子器件技術(shù)新進展

《第三代半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)業(yè)及標準化藍皮書》發(fā)布

IFWS 2023│三安半導(dǎo)體技術(shù)總監(jiān)葉念慈：產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合如何為SiC功率器件工廠賦能

IFWS 2023│中國電子科技集團第五十五研究所黃潤華：750V SiC MOSFET元胞結(jié)構(gòu)對器件特性的影響研究

IFWS&SSLCHINA2023│香港科技大學教授陳敬：面向功率、射頻和數(shù)字應(yīng)用的氮化鎵器件技術(shù)

IFWS&SSLCHINA 2023│英諾賽科歐洲總經(jīng)理Denis Macron:高性能GaN功率器件高可靠性和低成本

IFWS 2023前瞻│碳化功率器件及其封裝技術(shù)分會日程出爐

IFWS 2023前瞻│氮化鎵功率電子器件技術(shù)分會日程出爐

IFWS 2023前瞻│氮化鎵射頻電子器件技術(shù)分會日程出爐

矽力杰獲批寬禁帶功率器件與應(yīng)用浙江省工程研究中心

性能位居前列！芯生代科技發(fā)布面向HEMT功率器件的 850V大功率氮化鎵外延產(chǎn)品

致能科技首發(fā)1200V 高可靠性氮化鎵器件平臺

捷捷微電：南通半導(dǎo)體6英寸項目已于三季度投產(chǎn) 達產(chǎn)后預(yù)計可形成6英寸晶圓100萬片/年及100億只/年功率半導(dǎo)體封測器件的產(chǎn)業(yè)化能力

碳化硅供需緊缺，晶圓、功率器件頭部上市公司加速布局

我國推進大功率電力器件發(fā)展功率半導(dǎo)體行業(yè)向好

國星光電SiC-MOSFET器件獲得車規(guī)級認證并通過HV-H3TRB加嚴可靠性考核

干勇院士：半導(dǎo)體器件是金剛石重點發(fā)展領(lǐng)域

乂易半導(dǎo)體11億功率器件項目簽約徐州

十六位嘉賓精彩分享 2023化合物半導(dǎo)體器件與封裝技術(shù)論壇深圳收官

2023化合物半導(dǎo)體器件與封裝技術(shù)論壇深圳舉行

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CASICON 2023深圳前瞻 |博睿光電副總經(jīng)理梁超博士：面向高功率器件的超高導(dǎo)熱AlN陶瓷基板的研制及開發(fā)

CASICON 2023深圳前瞻 |愛發(fā)科王禹：碳化硅功率器件制造工藝設(shè)備技術(shù)進展

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