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中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所光電子材料與器件全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室誠(chéng)邀全球英才加盟

標(biāo)準(zhǔn) |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅襯底GaN HEMT外延片”2項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見(jiàn)稿

CSPSD 2025前瞻| 電子科技大學(xué)喬明：用于XPU供電的DrMOS器件發(fā)展趨勢(shì)與技術(shù)挑戰(zhàn)

瑤芯微申請(qǐng)溝槽型MOSFET器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，降低器件動(dòng)態(tài)損耗

重慶萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體申請(qǐng)溝槽型功率半導(dǎo)體器件及其制備方法專利，提高開(kāi)關(guān)速度與線性區(qū)能力

蘇州晶湛半導(dǎo)體申請(qǐng)發(fā)光器件相關(guān)專利，提高了發(fā)光器件生產(chǎn)良率

三安半導(dǎo)體“碳化硅功率器件的制備方法及其碳化硅功率器件”專利公布

廣東比亞迪節(jié)能科技申請(qǐng)MEMS器件及其封裝方法專利，降低主體晶圓與襯底晶圓封裝難度

美國(guó)海關(guān)宣布對(duì)消費(fèi)電子、服務(wù)器、半導(dǎo)體器件等20項(xiàng)商品豁免關(guān)稅

英飛凌科技申請(qǐng)功率半導(dǎo)體器件相關(guān)專利，提升功率半導(dǎo)體器件性能

黑龍江匯芯半導(dǎo)體申請(qǐng)集成有SiC功率器件短路保護(hù)的智能功率模塊專利，短路保護(hù)精度和效率更高

魯晶半導(dǎo)體與山東大學(xué)共建碳化硅功率器件產(chǎn)學(xué)研合作新生態(tài)

聞泰科技：公司預(yù)計(jì)包括SiC、GaN和IGBT在內(nèi)的高壓功率器件和模擬芯片產(chǎn)品將從2025年底開(kāi)始逐步放量

冠石科技顯示器件募投項(xiàng)目結(jié)項(xiàng)，將向光掩膜版項(xiàng)目增資1.33億元

國(guó)星光電：子公司風(fēng)華芯電氮化鎵器件實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)并開(kāi)始接單

上海光通信申請(qǐng)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)相關(guān)專利，縮小半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)線寬提高器件密度

會(huì)議通知| 2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議（CSPSD 2025）將于5月22-24日在南京召開(kāi)

中芯北方取得半導(dǎo)體器件及其形成方法專利

中信證券：建議關(guān)注SiC器件領(lǐng)軍廠商以及襯底環(huán)節(jié)的本土龍頭

廣東芯賽威取得電源管理芯片及電路專利，可提高氮化鎵器件在電源應(yīng)用中的可靠性

先導(dǎo)科技半導(dǎo)體激光雷達(dá)及傳感器件產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目預(yù)計(jì)10月竣工！

“2024年度華強(qiáng)電子網(wǎng)優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商&電子元器件行業(yè)優(yōu)秀國(guó)產(chǎn)品牌評(píng)選”獲獎(jiǎng)榜單重磅公布！

泰克科技張欣：新型功率器件的特性表征?|CASICON重慶站

江蘇芯旺電子科技取得MOSFET器件用制造加工裝置專利，提高加工效率

報(bào)告前瞻| 陽(yáng)光電動(dòng)力萬(wàn)富翔：新一代功率器件并聯(lián)技術(shù)在電驅(qū)系統(tǒng)的應(yīng)用

CASA立項(xiàng)《HEMT功率器件用硅襯底氮化鎵外延片》1項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

廈門市三安集成電路有限公司取得氮化鎵半導(dǎo)體器件專利，防水汽侵蝕能力較高

長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體申請(qǐng)功率器件及相關(guān)專利，降低功耗

報(bào)告前瞻|湖南三安半導(dǎo)體許志維：SiC MOSFET器件技術(shù)之發(fā)展與挑戰(zhàn)

紫光同芯“一種SGT器件及其制備方法”專利公布

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