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北京大學(xué)物理學(xué)院教授于彤軍：大尺寸AlN單晶的同質(zhì)PVT生長研究

深圳大學(xué)物理與光電工程學(xué)院副院長武紅磊：氮化鋁晶體PVT生長裝置及技術(shù)研究

中科院蘇州納米研究所司志偉：助熔劑法氮化鎵微碟不同極性面的光學(xué)性能

日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所沈旭強：無氨高溫 MOCVD 生長的高質(zhì)量極性和半極性氮化鋁

中科院半導(dǎo)體研究所張逸韻：玻璃襯底氮化物異構(gòu)外延

河北半導(dǎo)體研究所高楠：國產(chǎn)4英寸GaN襯底上MOCVD外延高質(zhì)量AlGaN/GaN HEMT材料

中科院寧波材料技術(shù)與工程研究所陳荔：基于藍(lán)寶石襯底的半極性面AlN外延及高溫?zé)崽幚?span id="lmcg3me" class="highlight">研究

中科鋼研高純碳化硅粉和智能高端裝備制造項目開工

華東光電集成器件研究所展明浩：MEMS傳感器發(fā)展現(xiàn)狀及在自動駕駛中的應(yīng)用

上海電驅(qū)動電控研究院院長陳雷：功率半導(dǎo)體在新能源汽車電機控制器中的應(yīng)用

中科院半導(dǎo)體研究所張連：亞毫米波段GaN基HEMT與選區(qū)外延技術(shù)研究

南京電子器件研究所張凱：大功率GaN微波毫米波二極管及其創(chuàng)新應(yīng)用

西安電子科技大學(xué)劉志宏：面向移動SoC應(yīng)用的氮化鎵射頻器件研究進展

中電科第十三研究所梁士雄：基于氮化鎵肖特基二極管的高性能太赫茲倍頻器

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